Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single | Diszkrét félvezető termékek | 100

BUK625R0-40C,118

részvénytársaság: 133435

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK7207-30B,118

részvénytársaság: 166786

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK6212-40C,118

részvénytársaság: 100786

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 12A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK964R4-40B,118

részvénytársaság: 76392

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK9620-100B,118

részvénytársaság: 103640

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BSH111,215

részvénytársaság: 8827

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 335mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BSH111,235

részvénytársaság: 8860

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 335mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK9504-40A,127

részvénytársaság: 8826

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK7907-55AIE,127

részvénytársaság: 22756

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK7908-40AIE,127

részvénytársaság: 27809

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK7515-100A,127

részvénytársaság: 33637

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BSN20,215

részvénytársaság: 8842

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 173mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BSN20,235

részvénytársaság: 8816

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 173mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK9518-55A,127

részvénytársaság: 8881

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK953R2-40B,127

részvénytársaság: 5886

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BSH121,135

részvénytársaság: 166507

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK7105-40AIE,118

részvénytársaság: 8799

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK7109-75ATE,118

részvénytársaság: 8816

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

A kívánságlistára

Nexperia USA Inc.

BUK7109-75AIE,118

részvénytársaság: 8824

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

A kívánságlistára

ON Semiconductor

BSS100

részvénytársaság: 8883

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 220mA, 10V,

A kívánságlistára

ON Semiconductor

BSS110

részvénytársaság: 8859

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 170mA, 10V,

A kívánságlistára

Infineon Technologies

BSO065N03MSGXUMA1

részvénytársaság: 5958

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 16A, 10V,

A kívánságlistára

Diodes Incorporated

BSS138TA

részvénytársaság: 178827

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

A kívánságlistára

Diodes Incorporated

BSS84TA

részvénytársaság: 8844

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK7506-75B,127

részvénytársaság: 8848

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BSH205,215

részvénytársaság: 8830

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 430mA, 4.5V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK9524-55A,127

részvénytársaság: 8825

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BSH112,235

részvénytársaság: 8798

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK9880-55A,115

részvénytársaság: 8884

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 8A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK7E07-55B,127

részvénytársaság: 5935

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK753R1-40B,127

részvénytársaság: 8810

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK9506-55B,127

részvénytársaság: 8845

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK9623-75A,118

részvénytársaság: 8887

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK6240-75C,118

részvénytársaság: 8827

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 10A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK7614-55A,118

részvénytársaság: 8843

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

BUK754R3-75C,127

részvénytársaság: 5885

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

A kívánságlistára