Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single | Diszkrét félvezető termékek | 100

APT7F80K

részvénytársaság: 366

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 4A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT8014JLL

részvénytársaság: 369

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 21A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT6M100K

részvénytársaság: 416

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT75M50B2

részvénytársaság: 5052

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT60M80JVR

részvénytársaság: 373

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT60M80L2VRG

részvénytársaság: 2032

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 32.5A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT60M75JVFR

részvénytársaság: 394

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 31A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT60M75L2LLG

részvénytársaság: 1781

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT5F100K

részvénytársaság: 412

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 3A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT58M50J

részvénytársaság: 2293

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT55M65JFLL

részvénytársaság: 338

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 550V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 31.5A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT55M50JFLL

részvénytársaság: 379

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 550V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 38.5A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT5510JFLL

részvénytársaság: 6039

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 550V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT5016BFLLG

részvénytársaság: 6194

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT5018BLLG

részvénytársaság: 366

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 13.5A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT4M120K

részvénytársaság: 398

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT4F120K

részvénytársaság: 409

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 2A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT45M100J

részvénytársaság: 1471

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 33A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT41M80L

részvénytársaság: 4379

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 20A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT40M70JVFR

részvénytársaság: 385

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 400V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 26.5A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT40M70LVFRG

részvénytársaság: 350

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 400V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT34F60BG

részvénytársaság: 5675

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT40M35JVFR

részvénytársaság: 357

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 400V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 93A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 46.5A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT32M80J

részvénytársaság: 2341

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 24A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT31N80JC3

részvénytársaság: 403

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT31M100B2

részvénytársaság: 4176

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 16A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT31N60BCSG

részvénytársaság: 325

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT30M85SVFRG

részvénytársaság: 386

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 300V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT30M85BVFRG

részvénytársaság: 318

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 300V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT30M70SVRG

részvénytársaság: 372

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 300V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT30M40B2VFRG

részvénytársaság: 318

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 300V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT29F100L

részvénytársaság: 3918

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 16A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT26F120L

részvénytársaság: 2571

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT23F60B

részvénytársaság: 13424

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT22F120B2

részvénytársaság: 3405

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

A kívánságlistára

Microsemi Corporation

APT22F120L

részvénytársaság: 3400

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

A kívánságlistára