Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e | Diszkrét félvezető termékek | 88

PDTC124TT,215

részvénytársaság: 166184

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára

Rohm Semiconductor

DTA124XCAHZGT116

részvénytársaság: 9950

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára

Rohm Semiconductor

DTC114WUAT106

részvénytársaság: 194265

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára

Rohm Semiconductor

DTC114WKAT146

részvénytársaság: 173647

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára

Rohm Semiconductor

DTC143TCAT116

részvénytársaság: 103110

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára

Rohm Semiconductor

DTC144TKAT146

részvénytársaság: 106643

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára

Rohm Semiconductor

DTC044TUBTL

részvénytársaság: 137517

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 60mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Rohm Semiconductor

DTA044TEBTL

részvénytársaság: 133264

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 60mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Diodes Incorporated

DDTC123TKA-7-F

részvénytársaság: 1925

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára

Diodes Incorporated

DDTA114WKA-7-F

részvénytársaság: 1927

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára

Diodes Incorporated

DDTC123YKA-7-F

részvénytársaság: 1927

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára

Diodes Incorporated

DDTC122TE-7-F

részvénytársaság: 165876

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 220 Ohms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára

Diodes Incorporated

DDTC124EKA-7-F

részvénytársaság: 1965

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára

ON Semiconductor

MMUN2238LT1G

részvénytársaság: 106308

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

ON Semiconductor

NSVMMUN2112LT1G

részvénytársaság: 163650

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

ON Semiconductor

MUN2211T3

részvénytársaság: 1947

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

ON Semiconductor

FJV4101RMTF

részvénytársaság: 1954

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára

ON Semiconductor

MUN2211JT1G

részvénytársaság: 110536

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

ON Semiconductor

FJV4104RMTF

részvénytársaság: 107935

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

UNR9215G0L

részvénytársaság: 1892

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

UNR511TG0L

részvénytársaság: 166688

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

UNR911EG0L

részvénytársaság: 1910

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

UNR91AEG0L

részvénytársaság: 1964

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

UNR91ANG0L

részvénytársaság: 178045

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

UNR421K00A

részvénytársaság: 186442

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

UNR911FG0L

részvénytársaság: 2037

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

UNR9113G0L

részvénytársaság: 155175

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

DRC5123J0L

részvénytársaság: 164209

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

Panasonic Electronic Components

DRA2123Y0L

részvénytársaság: 136190

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

PDTC143ZK,115

részvénytársaság: 1950

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

PBRP113ES,126

részvénytársaság: 1953

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

PDTD123EK,115

részvénytársaság: 1995

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

A kívánságlistára

NXP USA Inc.

PDTA144TK,115

részvénytársaság: 1981

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

részvénytársaság: 3219

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

részvénytársaság: 1973

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

részvénytársaság: 1960

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára