Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e

PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.

PDTB114ETR

részvénytársaság: 192410

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTC143XE-7
Diodes Incorporated

DDTC143XE-7

részvénytársaság: 197990

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTA123TKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123TKA-7-F

részvénytársaság: 1915

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTA144TKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA144TKA-7-F

részvénytársaság: 1944

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTD123YU-7-F
Diodes Incorporated

DDTD123YU-7-F

részvénytársaság: 159098

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTA123ECA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123ECA-7-F

részvénytársaság: 167434

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTC124GKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC124GKA-7-F

részvénytársaság: 1901

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTD142JU-7-F
Diodes Incorporated

DDTD142JU-7-F

részvénytársaság: 100187

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 470 Ohms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTC142JE-7-F
Diodes Incorporated

DDTC142JE-7-F

részvénytársaság: 125307

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 470 Ohms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
DDTC143XKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC143XKA-7-F

részvénytársaság: 1911

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
SMUN2230T1G
ON Semiconductor

SMUN2230T1G

részvénytársaság: 178747

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
FJV3115RMTF
ON Semiconductor

FJV3115RMTF

részvénytársaság: 170458

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143EF3T5G

részvénytársaság: 150999

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114TF3T5G

részvénytársaság: 143954

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
PDTC123ES,126
NXP USA Inc.

PDTC123ES,126

részvénytársaság: 1997

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

A kívánságlistára
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.

PDTB113ES,126

részvénytársaság: 1965

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

A kívánságlistára
PDTC124ES,126
NXP USA Inc.

PDTC124ES,126

részvénytársaság: 1970

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.

PDTA114TE,115

részvénytársaság: 1980

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
DTC143XCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC143XCAHZGT116

részvénytársaság: 16286

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased + Diode, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
DTC015EEBTL
Rohm Semiconductor

DTC015EEBTL

részvénytársaság: 107532

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 20mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
DTB114GKT146
Rohm Semiconductor

DTB114GKT146

részvénytársaság: 168234

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

A kívánságlistára
DTC143XUAT106
Rohm Semiconductor

DTC143XUAT106

részvénytársaság: 114463

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
DTA143ZKAT146
Rohm Semiconductor

DTA143ZKAT146

részvénytársaság: 123299

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
DTC144VKAT146
Rohm Semiconductor

DTC144VKAT146

részvénytársaság: 164888

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
UNR321000L
Panasonic Electronic Components

UNR321000L

részvénytársaság: 108084

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
UNR511600L
Panasonic Electronic Components

UNR511600L

részvénytársaság: 122493

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
UNR9219G0L
Panasonic Electronic Components

UNR9219G0L

részvénytársaság: 136285

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
UNR911BG0L
Panasonic Electronic Components

UNR911BG0L

részvénytársaság: 2166

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
UNR92A8G0L
Panasonic Electronic Components

UNR92A8G0L

részvénytársaság: 1977

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 510 Ohms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 5.1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
UNR9112G0L
Panasonic Electronic Components

UNR9112G0L

részvénytársaság: 1944

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
UNR511VG0L
Panasonic Electronic Components

UNR511VG0L

részvénytársaság: 1962

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
UNR9110G0L
Panasonic Electronic Components

UNR9110G0L

részvénytársaság: 141689

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
RN2315TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

részvénytársaság: 100188

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN1112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1954

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
RN2101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

részvénytársaság: 1987

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN1105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

részvénytársaság: 1976

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára