Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf

MUN5216DW1T1
ON Semiconductor

MUN5216DW1T1

részvénytársaság: 1438

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

részvénytársaság: 154023

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

részvénytársaság: 1465

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

részvénytársaság: 133175

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

részvénytársaság: 168681

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

részvénytársaság: 163385

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

részvénytársaság: 3198

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
SMUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

részvénytársaság: 151022

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

részvénytársaság: 182502

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

részvénytársaság: 152242

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

részvénytársaság: 138883

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

részvénytársaság: 1489

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

részvénytársaság: 1507

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

részvénytársaság: 1480

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

részvénytársaság: 181191

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

részvénytársaság: 1463

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

részvénytársaság: 1523

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
DDA144EK-7-F
Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

részvénytársaság: 124106

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
DDA124EK-7-F
Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

részvénytársaság: 116873

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
DDA114YU-7
Diodes Incorporated

DDA114YU-7

részvénytársaság: 1386

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
IMB4AT110
Rohm Semiconductor

IMB4AT110

részvénytársaság: 116363

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
UMF8NTR
Rohm Semiconductor

UMF8NTR

részvénytársaság: 111347

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 15V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

A kívánságlistára
FMG5AT148
Rohm Semiconductor

FMG5AT148

részvénytársaság: 191530

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
UMD6NTR
Rohm Semiconductor

UMD6NTR

részvénytársaság: 125967

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
XP0621000L
Panasonic Electronic Components

XP0621000L

részvénytársaság: 1473

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
DMG264020R
Panasonic Electronic Components

DMG264020R

részvénytársaság: 139566

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
XN0111M00L
Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

részvénytársaság: 1478

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
XP0421M00L
Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

részvénytársaság: 1422

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NP0G3A000A
Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

részvénytársaság: 1454

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 80mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
PBLS6004D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

részvénytársaság: 100158

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 700mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 60V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

A kívánságlistára
PIMN31,115
Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

részvénytársaság: 149516

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A kívánságlistára
PEMH9,115
Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

részvénytársaság: 174446

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
PUMD17,115
Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

részvénytársaság: 141367

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
PUMB2,115
Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

részvénytársaság: 142176

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
PBLS4001V,115
NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

részvénytársaság: 1384

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 40V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
PBLS4002V,115
NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

részvénytársaság: 1498

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 40V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára