Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf

EMB2T2R
Rohm Semiconductor

EMB2T2R

részvénytársaság: 155232

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
UMF21NTR
Rohm Semiconductor

UMF21NTR

részvénytársaság: 181499

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 12V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

A kívánságlistára
IMD14T108
Rohm Semiconductor

IMD14T108

részvénytársaság: 107296

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 220 Ohms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
IMD1AT108
Rohm Semiconductor

IMD1AT108

részvénytársaság: 144421

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
EMF21T2R
Rohm Semiconductor

EMF21T2R

részvénytársaság: 179260

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 12V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

A kívánságlistára
EMF22T2R
Rohm Semiconductor

EMF22T2R

részvénytársaság: 1487

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 12V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

A kívánságlistára
EMH9FHAT2R
Rohm Semiconductor

EMH9FHAT2R

részvénytársaság: 21662

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
FMG9AT248
Rohm Semiconductor

FMG9AT248

részvénytársaság: 1454

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
DCX143TU-7
Diodes Incorporated

DCX143TU-7

részvénytársaság: 1400

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
DDA143TH-7
Diodes Incorporated

DDA143TH-7

részvénytársaság: 180736

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
DDC114EU-7
Diodes Incorporated

DDC114EU-7

részvénytársaság: 1456

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
DDC143ZU-7-F
Diodes Incorporated

DDC143ZU-7-F

részvénytársaság: 187836

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
DDA123JH-7
Diodes Incorporated

DDA123JH-7

részvénytársaság: 118010

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
DCX4710H-7
Diodes Incorporated

DCX4710H-7

részvénytársaság: 153117

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
NSVMUN531335DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T1G

részvénytársaság: 161762

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5212DW1T1G

részvénytársaság: 111873

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1G

részvénytársaság: 116194

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1G

részvénytársaság: 191549

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSBA143ZDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA143ZDXV6T1G

részvénytársaság: 13232

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5G

részvénytársaság: 1414

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
SMUN5335DW1T2G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T2G

részvénytársaság: 183726

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1G

részvénytársaság: 132657

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
MUN5116DW1T1
ON Semiconductor

MUN5116DW1T1

részvénytársaság: 3233

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
DMC264040R
Panasonic Electronic Components

DMC264040R

részvénytársaság: 141479

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
DMA261000R
Panasonic Electronic Components

DMA261000R

részvénytársaság: 148621

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
DMA9640T0R
Panasonic Electronic Components

DMA9640T0R

részvénytársaság: 175874

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
UP0339600L
Panasonic Electronic Components

UP0339600L

részvénytársaság: 1437

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
XP0111500L
Panasonic Electronic Components

XP0111500L

részvénytársaság: 1428

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A kívánságlistára
RN1963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1963(TE85L,F)

részvénytársaság: 101550

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN2902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902,LF

részvénytársaság: 1472

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

A kívánságlistára
RN2911,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911,LF

részvénytársaság: 148274

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

A kívánságlistára
PUMB11,115
Nexperia USA Inc.

PUMB11,115

részvénytársaság: 183088

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
PEMB11,115
Nexperia USA Inc.

PEMB11,115

részvénytársaság: 160190

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára
PBLS4005D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS4005D,115

részvénytársaság: 151505

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 700mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 40V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
PBLS4004D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS4004D,115

részvénytársaság: 177865

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 700mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 40V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
PUMB9,115
Nexperia USA Inc.

PUMB9,115

részvénytársaság: 180837

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

A kívánságlistára