Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-tömbök

CMLDM3737 TR

CMLDM3737 TR

részvénytársaság: 117843

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

CMLDM7585 TR

CMLDM7585 TR

részvénytársaság: 161601

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 650mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

CMXDM7002A TR

CMXDM7002A TR

részvénytársaság: 126593

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC2450UV-13

DMC2450UV-13

részvénytársaság: 171377

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

részvénytársaság: 125205

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMP2066LSD-13

DMP2066LSD-13

részvénytársaság: 103006

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

DMP2004DWK-7

DMP2004DWK-7

részvénytársaság: 187523

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G

részvénytársaság: 192220

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5877NLT1G

NVMFD5877NLT1G

részvénytársaság: 171488

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTZD5110NT5G

NTZD5110NT5G

részvénytársaság: 3000

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 294mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDR8702H

FDR8702H

részvénytársaság: 3117

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.6A, 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLLD4901NFTWG

NTLLD4901NFTWG

részvénytársaság: 132118

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDC6333C

FDC6333C

részvénytársaság: 131502

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.5A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA3023PZ

FDMA3023PZ

részvénytársaság: 148246

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDZ1323NZ

FDZ1323NZ

részvénytársaság: 166913

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTMFD4C20NT1G

NTMFD4C20NT1G

részvénytársaság: 166740

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9.1A, 13.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

FDPC5018SG

FDPC5018SG

részvénytársaság: 62456

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 17A, 32A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI9936DY,518

SI9936DY,518

részvénytársaság: 3387

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

CAS300M17BM2

CAS300M17BM2

részvénytársaság: 115

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source feszültség (Vdss): 1700V (1.7kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 325A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),

UT6JA2TCR

UT6JA2TCR

részvénytársaság: 157843

FET típus: 2 P-Channel (Dual), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SH8J65TB1

SH8J65TB1

részvénytársaság: 100136

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

UM6K33NTN

UM6K33NTN

részvénytársaság: 191317

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

SMA5117

SMA5117

részvénytársaság: 6110

FET típus: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

SLA5068-LF830

SLA5068-LF830

részvénytársaság: 11177

FET típus: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

TSM4946DCS RLG

TSM4946DCS RLG

részvénytársaság: 16502

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SSM6P35FE,LM

SSM6P35FE,LM

részvénytársaság: 173905

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

SSM6P15FE(TE85L,F)

SSM6P15FE(TE85L,F)

részvénytársaság: 13232

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA,

STS4DNF60L

STS4DNF60L

részvénytársaság: 93425

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCCD2007-TP

MCCD2007-TP

részvénytársaság: 117884

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4618DY-T1-E3

SI4618DY-T1-E3

részvénytársaság: 113583

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8A, 15.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

részvénytársaság: 3002

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA,

CSD75301W1015

CSD75301W1015

részvénytársaság: 2951

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7380TRPBF

IRF7380TRPBF

részvénytársaság: 159831

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 80V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

IRF9956PBF

IRF9956PBF

részvénytársaság: 2963

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DF23MR12W1M1B11BOMA1

DF23MR12W1M1B11BOMA1

részvénytársaság: 3162

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V (1.2kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 15V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA,

FMM22-06PF

FMM22-06PF

részvénytársaság: 4230

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,