részvénytársaság: 14216
FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,