Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-tömbök

SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8M2FU6TB

részvénytársaság: 156997

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

A kívánságlistára
MP6K31TR
Rohm Semiconductor

MP6K31TR

részvénytársaság: 2806

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

A kívánságlistára
FDMS3616S
ON Semiconductor

FDMS3616S

részvénytársaság: 2851

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 16A, 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
FDW2507NZ
ON Semiconductor

FDW2507NZ

részvénytársaság: 2692

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
NTQD6968NR2G
ON Semiconductor

NTQD6968NR2G

részvénytársaság: 2683

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

A kívánságlistára
NDS9925A
ON Semiconductor

NDS9925A

részvénytársaság: 2695

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
NTZD3154NT1H
ON Semiconductor

NTZD3154NT1H

részvénytársaság: 188943

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
ECH8675-TL-H
ON Semiconductor

ECH8675-TL-H

részvénytársaság: 2918

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

A kívánságlistára
FDS6984S
ON Semiconductor

FDS6984S

részvénytársaság: 2757

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 8.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
NDS9942
ON Semiconductor

NDS9942

részvénytársaság: 2712

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

A kívánságlistára
NTMD2P01R2
ON Semiconductor

NTMD2P01R2

részvénytársaság: 2666

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 16V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
FDJ1027P
ON Semiconductor

FDJ1027P

részvénytársaság: 2758

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
NDS9956A
ON Semiconductor

NDS9956A

részvénytársaság: 2657

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

A kívánságlistára
NTHD5905T1
ON Semiconductor

NTHD5905T1

részvénytársaság: 2720

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 8V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA,

A kívánságlistára
MMDF2N02ER2
ON Semiconductor

MMDF2N02ER2

részvénytársaság: 2712

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
NDM3000
ON Semiconductor

NDM3000

részvénytársaság: 2702

FET típus: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
NDS8926
ON Semiconductor

NDS8926

részvénytársaság: 2667

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
SIA511DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA511DJ-T1-GE3

részvénytársaság: 2748

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI1970DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1970DH-T1-GE3

részvénytársaság: 3345

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI7911DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7911DN-T1-GE3

részvénytársaság: 3351

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
SIA914DJ-T1-E3
Vishay Siliconix

SIA914DJ-T1-E3

részvénytársaság: 2809

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
SQJ940EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ940EP-T1_GE3

részvénytársaság: 137151

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI4804BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4804BDY-T1-E3

részvénytársaság: 2731

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI1025X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1025X-T1-E3

részvénytársaság: 2759

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 190mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI1033X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1033X-T1-E3

részvénytársaság: 2716

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 145mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI4544DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4544DY-T1-E3

részvénytársaság: 2827

FET típus: N and P-Channel, Common Drain, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

A kívánságlistára
SIS902DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS902DN-T1-GE3

részvénytársaság: 5353

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI4830ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4830ADY-T1-GE3

részvénytársaság: 2864

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI5504DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5504DC-T1-GE3

részvénytársaság: 2847

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

A kívánságlistára
ZXMHC10A07T8TA
Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

részvénytársaság: 83530

FET típus: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A, 800mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

A kívánságlistára
DI9945T
Diodes Incorporated

DI9945T

részvénytársaság: 2659

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

A kívánságlistára
IRFHS9351TR2PBF
Infineon Technologies

IRFHS9351TR2PBF

részvénytársaság: 2826

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA,

A kívánságlistára
IRF7750
Infineon Technologies

IRF7750

részvénytársaság: 2669

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

A kívánságlistára
IRF7754GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7754GTRPBF

részvénytársaság: 2807

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

A kívánságlistára
IRF7105QTRPBF
Infineon Technologies

IRF7105QTRPBF

részvénytársaság: 2827

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
GWM160-0055P3
IXYS

GWM160-0055P3

részvénytársaság: 2735

FET típus: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 160A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

A kívánságlistára