Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-tömbök

DMN2016UTS-13
Diodes Incorporated

DMN2016UTS-13

részvénytársaság: 168999

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.58A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
DMC2004VK-7
Diodes Incorporated

DMC2004VK-7

részvénytársaság: 152592

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 670mA, 530mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
DMP2160UFDB-7
Diodes Incorporated

DMP2160UFDB-7

részvénytársaság: 170482

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

A kívánságlistára
DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated

DMP3085LSD-13

részvénytársaság: 197990

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
DMG1026UV-7
Diodes Incorporated

DMG1026UV-7

részvénytársaság: 118631

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

A kívánságlistára
DMC2004DWK-7
Diodes Incorporated

DMC2004DWK-7

részvénytársaság: 194049

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
DMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMN6040SSDQ-13

részvénytársaság: 115786

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

A kívánságlistára
IRFH7911TRPBF
Infineon Technologies

IRFH7911TRPBF

részvénytársaság: 61001

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

A kívánságlistára
IRF7530TRPBF
Infineon Technologies

IRF7530TRPBF

részvénytársaság: 169065

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

A kívánságlistára
SISF00DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISF00DN-T1-GE3

részvénytársaság: 2608

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

A kívánságlistára
SQJ262EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ262EP-T1_GE3

részvénytársaság: 2536

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SQS944ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS944ENW-T1_GE3

részvénytársaság: 2484

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI4202DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4202DY-T1-GE3

részvénytársaság: 118970

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI1029X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1029X-T1-GE3

részvénytársaság: 164736

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 305mA, 190mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA533EDJ-T1-GE3

részvénytársaság: 106980

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
SIA975DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA975DJ-T1-GE3

részvénytársaság: 159548

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
SQJ260EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ260EP-T1_GE3

részvénytársaság: 2593

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI1026X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1026X-T1-GE3

részvénytársaság: 107231

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 305mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI5515CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5515CDC-T1-GE3

részvénytársaság: 185766

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,

A kívánságlistára
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1539CDL-T1-GE3

részvénytársaság: 143752

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 700mA, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA517DJ-T1-GE3

részvénytársaság: 150755

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
SIR770DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR770DP-T1-GE3

részvénytársaság: 139904

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

A kívánságlistára
SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1553CDL-T1-GE3

részvénytársaság: 145828

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 700mA, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A kívánságlistára
FDMA1024NZ
ON Semiconductor

FDMA1024NZ

részvénytársaság: 167329

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
CPH6636R-TL-W
ON Semiconductor

CPH6636R-TL-W

részvénytársaság: 161568

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET funkció: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain to Source feszültség (Vdss): 24V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 4.5V,

A kívánságlistára
FDS89161LZ
ON Semiconductor

FDS89161LZ

részvénytársaság: 125136

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

A kívánságlistára
NTLGD3502NT2G
ON Semiconductor

NTLGD3502NT2G

részvénytársaság: 150994

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.3A, 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

A kívánságlistára
FDMS3624S
ON Semiconductor

FDMS3624S

részvénytársaság: 88033

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 17.5A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

A kívánságlistára
FDS89161
ON Semiconductor

FDS89161

részvénytársaság: 125135

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

A kívánságlistára
FDG1024NZ
ON Semiconductor

FDG1024NZ

részvénytársaság: 171322

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

A kívánságlistára
FG6943010R
Panasonic Electronic Components

FG6943010R

részvénytársaság: 122798

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100mA,

A kívánságlistára
PMDPB58UPE,115
Nexperia USA Inc.

PMDPB58UPE,115

részvénytársaság: 173425

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

A kívánságlistára
PMDPB55XP,115
Nexperia USA Inc.

PMDPB55XP,115

részvénytársaság: 147136

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

A kívánságlistára
QS8J12TCR
Rohm Semiconductor

QS8J12TCR

részvénytársaság: 145360

FET típus: 2 P-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

A kívánságlistára
SSM6N58NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

részvénytársaság: 111011

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

A kívánságlistára
SSM6L16FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L16FETE85LF

részvénytársaság: 192590

FET típus: N and P-Channel, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 0.1mA,

A kívánságlistára