Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single

2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

részvénytársaság: 6942

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

részvénytársaság: 6984

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1837,S1CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,S1CSF(J

részvénytársaság: 7010

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1837,HFEYHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(M

részvénytársaság: 6997

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1837,HFEYHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(J

részvénytársaság: 6944

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1837,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,F(J

részvénytársaság: 6994

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1837(PAIO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(PAIO,F,M)

részvénytársaság: 6991

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1837(LBSAN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(LBSAN,F,M)

részvénytársaság: 6710

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 230V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1761,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(M

részvénytársaság: 6956

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1761,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(J

részvénytársaság: 6934

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1761,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,F(J

részvénytársaság: 6947

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1680,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6F(J

részvénytársaság: 7016

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1680,T6SCMDF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6SCMDF(J

részvénytársaság: 6980

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1680,T6ASTIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6ASTIF(J

részvénytársaság: 7010

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1680,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,F(J

részvénytársaság: 6927

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1680(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(F,M)

részvénytársaság: 6950

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1680(T6DNSO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(T6DNSO,F,M

részvénytársaság: 6992

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2TR,F,M

részvénytársaság: 6995

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2OMI,FM

részvénytársaság: 6951

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(M

részvénytársaság: 6771

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(J

részvénytársaság: 6920

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1428-O,T2WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2WNLF(J

részvénytársaság: 6933

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y(T2TR,A,F

részvénytársaság: 7010

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1428-O,T2CLAF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(M

részvénytársaság: 6706

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1428-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(J

részvénytársaság: 7011

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1425-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1425-Y,T2F(J

részvénytársaság: 6927

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

A kívánságlistára
2SA1382,T6MIBF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1382,T6MIBF(J

részvénytársaság: 6952

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 33mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1315-Y,T6ASNF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,T6ASNF(J

részvénytársaság: 6974

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1315-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,HOF(M

részvénytársaság: 6974

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 80V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6F(J

részvénytársaság: 6924

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6KEHF(M

részvénytársaság: 6919

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,HOF(M

részvénytársaság: 6991

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1020-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(J

részvénytársaság: 7009

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1020-Y(T6TR1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR1,AF

részvénytársaság: 6921

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

részvénytársaság: 6978

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára
2SA1020-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6ND3,AF

részvénytársaság: 6994

Tranzisztor típusa: PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 2A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Áram - gyűjtő levágása (max.): 1µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

A kívánságlistára