Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single
IRFU7440PBF
Infineon Technologies

IRFU7440PBF

részvénytársaság: 42650

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 90A, 10V,

Kívánság lista
IRLB8314PBF
Infineon Technologies

IRLB8314PBF

részvénytársaság: 68466

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 68A, 10V,

Kívánság lista
IPP034NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP034NE7N3GXKSA1

részvénytársaság: 23187

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista
IRL8113PBF
Infineon Technologies

IRL8113PBF

részvénytársaság: 41003

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 105A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V,

Kívánság lista
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies

IPSA70R1K2P7SAKMA1

részvénytársaság: 2796

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 700V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 900mA, 10V,

Kívánság lista
IRL60S216
Infineon Technologies

IRL60S216

részvénytársaság: 18402

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista
IPAW60R190CEXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R190CEXKSA1

részvénytársaság: 56438

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 26.7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

Kívánság lista
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R750P7XKSA1

részvénytársaság: 39823

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

Kívánság lista
IPA057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA057N06N3GXKSA1

részvénytársaság: 2064

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 60A, 10V,

Kívánság lista
IPP530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP530N15N3GXKSA1

részvénytársaság: 2849

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista
IRF3315PBF
Infineon Technologies

IRF3315PBF

részvénytársaság: 38844

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 12A, 10V,

Kívánság lista
IPA075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA075N15N3GXKSA1

részvénytársaság: 3045

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 43A, 10V,

Kívánság lista
IPP100N08S2L07AKSA1
Infineon Technologies

IPP100N08S2L07AKSA1

részvénytársaság: 52683

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista
IRF530NSTRLPBF
Infineon Technologies

IRF530NSTRLPBF

részvénytársaság: 128633

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V,

Kívánság lista
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R170CFD7XKSA1

részvénytársaság: 3037

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 6A, 10V,

Kívánság lista
IRLB3036PBF
Infineon Technologies

IRLB3036PBF

részvénytársaság: 17506

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Kívánság lista
IPP086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP086N10N3GXKSA1

részvénytársaság: 38790

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V,

Kívánság lista
SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW11N80C3FKSA1

részvénytársaság: 1610

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V,

Kívánság lista
IPW65R065C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW65R065C7XKSA1

részvénytársaság: 10290

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.1A, 10V,

Kívánság lista
IRF300P227
Infineon Technologies

IRF300P227

részvénytársaság: 10886

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 300V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
IRF135B203
Infineon Technologies

IRF135B203

részvénytársaság: 23939

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 135V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 129A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 77A, 10V,

Kívánság lista
IPI60R125CPXKSA1
Infineon Technologies

IPI60R125CPXKSA1

részvénytársaság: 11826

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 16A, 10V,

Kívánság lista
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies

IPP90R340C3XKSA1

részvénytársaság: 11890

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 9.2A, 10V,

Kívánság lista
IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R080CFDAFKSA1

részvénytársaság: 6140

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 43.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 17.6A, 10V,

Kívánság lista
IPP076N12N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP076N12N3GXKSA1

részvénytársaság: 2056

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 120V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista
IRFP250MPBF
Infineon Technologies

IRFP250MPBF

részvénytársaság: 36997

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista
IRFI4510GPBF
Infineon Technologies

IRFI4510GPBF

részvénytársaság: 35793

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 21A, 10V,

Kívánság lista
IRF1010EZSTRLP
Infineon Technologies

IRF1010EZSTRLP

részvénytársaság: 88038

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V,

Kívánság lista
IPAW60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R360P7SXKSA1

részvénytársaság: 55490

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 2.7A, 10V,

Kívánság lista
IRF1407PBF
Infineon Technologies

IRF1407PBF

részvénytársaság: 31387

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 78A, 10V,

Kívánság lista
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R280P7XKSA1

részvénytársaság: 31589

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 3.8A, 10V,

Kívánság lista
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R090CFD7XKSA1

részvénytársaság: 2131

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 11.4A, 10V,

Kívánság lista
IPP126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP126N10N3GXKSA1

részvénytársaság: 49483

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 46A, 10V,

Kívánság lista
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R125C6FKSA1

részvénytársaság: 3548

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

Kívánság lista
IRFB23N15DPBF
Infineon Technologies

IRFB23N15DPBF

részvénytársaság: 39026

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 14A, 10V,

Kívánság lista
IRF200P223
Infineon Technologies

IRF200P223

részvénytársaság: 10451

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 60A, 10V,

Kívánság lista