Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single | Diszkrét félvezető termékek | 100

IPB100N04S4H2ATMA1

részvénytársaság: 91450

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

SPP07N60C3HKSA1

részvénytársaság: 2005

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP60R330P6XKSA1

részvénytársaság: 35457

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 4.5A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRLR7843CTRPBF

részvénytársaság: 1777

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 161A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP12CN10NGXKSA1

részvénytársaság: 1987

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPD50R500CEATMA1

részvénytársaság: 1972

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.3A, 13V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPA80R460CEXKSA1

részvénytársaság: 1964

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 7.1A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPD60R460CEATMA1

részvénytársaság: 186483

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 3.4A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP034N03LGHKSA1

részvénytársaság: 2050

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP024N06N3GHKSA1

részvénytársaság: 1960

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPD60R520CPATMA1

részvénytársaság: 2019

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPB600N25N3GATMA1

részvénytársaság: 8691

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRF100B202

részvénytársaság: 40263

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 58A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPD60R1K0CEATMA1

részvénytársaság: 140899

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRF8304MTR1PBF

részvénytársaság: 1772

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 170A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 28A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPU60R1K5CEBKMA1

részvénytársaság: 1929

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPB180N04S401ATMA1

részvénytársaság: 58130

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPW60R230P6FKSA1

részvénytársaság: 23326

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 16.8A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 6.4A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFB41N15DPBF

részvénytársaság: 29849

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRLZ24NPBF

részvénytársaság: 69819

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP052NE7N3GHKSA1

részvénytársaság: 1945

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP052N06L3GHKSA1

részvénytársaság: 1939

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRF6892STR1PBF

részvénytársaság: 1778

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 125A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 28A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFS7762PBF

részvénytársaság: 1855

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 51A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IAUT300N10S5N015ATMA1

részvénytársaság: 8657

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFSL7437TRLPBF

részvénytársaság: 1992

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFI3205PBF

részvénytársaság: 31091

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 34A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFR3303TRPBF

részvénytársaság: 173133

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPB160N04S4H1ATMA1

részvénytársaság: 70498

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP100N08N3GHKSA1

részvénytársaság: 1983

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 80V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 46A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFS7787PBF

részvénytársaság: 83231

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 46A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP50R350CPHKSA1

részvénytársaság: 60777

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.6A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFS7430PBF

részvénytársaság: 5678

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPD60R600CPATMA1

részvénytársaság: 1957

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPA80R1K0CEXKSA1

részvénytársaság: 1898

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.6A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPP60R380P6XKSA1

részvénytársaság: 40692

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.8A, 10V,

Kívánság lista