Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single
IRF6713STR1PBF
Infineon Technologies

IRF6713STR1PBF

részvénytársaság: 609

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 95A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 22A, 10V,

Kívánság lista
IPP80N06S205AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S205AKSA1

részvénytársaság: 792

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista
IRFSL4115PBF
Infineon Technologies

IRFSL4115PBF

részvénytársaság: 861

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Kívánság lista
SN7002W L6327
Infineon Technologies

SN7002W L6327

részvénytársaság: 839

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V,

Kívánság lista
IRFR3910TRPBF
Infineon Technologies

IRFR3910TRPBF

részvénytársaság: 188719

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista
IPU103N08N3 G
Infineon Technologies

IPU103N08N3 G

részvénytársaság: 813

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 80V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 46A, 10V,

Kívánság lista
IRFP4368PBF
Infineon Technologies

IRFP4368PBF

részvénytársaság: 9954

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 mOhm @ 195A, 10V,

Kívánság lista
IPB34CN10NGATMA1
Infineon Technologies

IPB34CN10NGATMA1

részvénytársaság: 809

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 27A, 10V,

Kívánság lista
IPD160N04LGBTMA1
Infineon Technologies

IPD160N04LGBTMA1

részvénytársaság: 818

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
IRFS4010-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS4010-7PPBF

részvénytársaság: 629

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 190A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V,

Kívánság lista
IPD50R520CP
Infineon Technologies

IPD50R520CP

részvénytársaság: 6089

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 550V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Kívánság lista
IRFS5620TRLPBF
Infineon Technologies

IRFS5620TRLPBF

részvénytársaság: 640

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista
IRF7450TRPBF
Infineon Technologies

IRF7450TRPBF

részvénytársaság: 105126

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista
IPB100N06S205ATMA1
Infineon Technologies

IPB100N06S205ATMA1

részvénytársaság: 804

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista
IRFH7914TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7914TR2PBF

részvénytársaság: 834

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 35A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V,

Kívánság lista
IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2H5ATMA1

részvénytársaság: 808

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista
IRFH5053TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5053TRPBF

részvénytársaság: 87092

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), 46A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V,

Kívánság lista
IRF6729MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6729MTR1PBF

részvénytársaság: 821

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 190A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 31A, 10V,

Kívánság lista
IPI80N04S204AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N04S204AKSA1

részvénytársaság: 840

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista
IPI80N06S2L05AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N06S2L05AKSA1

részvénytársaság: 750

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista
IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S209ATMA1

részvénytársaság: 6080

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 50A, 10V,

Kívánság lista
SPP15N60CFDHKSA1
Infineon Technologies

SPP15N60CFDHKSA1

részvénytársaság: 768

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13.4A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 9.4A, 10V,

Kívánság lista
IRF40R207
Infineon Technologies

IRF40R207

részvénytársaság: 112715

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 55A, 10V,

Kívánság lista
IPD068N10N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD068N10N3GBTMA1

részvénytársaság: 759

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 90A, 10V,

Kívánság lista
IRFHS8342TRPBF
Infineon Technologies

IRFHS8342TRPBF

részvénytársaság: 198501

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 19A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

Kívánság lista
IRFR15N20DTRPBF
Infineon Technologies

IRFR15N20DTRPBF

részvénytársaság: 131500

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista
IRLR8256TRPBF
Infineon Technologies

IRLR8256TRPBF

részvénytársaság: 172098

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 81A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista
IRFSL3004PBF
Infineon Technologies

IRFSL3004PBF

részvénytársaság: 869

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 195A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

Kívánság lista
IPB60R250CPATMA1
Infineon Technologies

IPB60R250CPATMA1

részvénytársaság: 785

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Kívánság lista
IPB80N06S2L09ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L09ATMA1

részvénytársaság: 6112

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 52A, 10V,

Kívánság lista
IRFU4620PBF
Infineon Technologies

IRFU4620PBF

részvénytársaság: 6147

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista
IPB12CN10N G
Infineon Technologies

IPB12CN10N G

részvénytársaság: 756

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 67A, 10V,

Kívánság lista
IRF7201TRPBF
Infineon Technologies

IRF7201TRPBF

részvénytársaság: 109705

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.3A, 10V,

Kívánság lista
IPP80N06S208AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S208AKSA1

részvénytársaság: 809

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

Kívánság lista
IRLH7134TRPBF
Infineon Technologies

IRLH7134TRPBF

részvénytársaság: 103354

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 85A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

Kívánság lista
IRF7809AVTRPBF
Infineon Technologies

IRF7809AVTRPBF

részvénytársaság: 163838

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13.3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 4.5V,

Kívánság lista