Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

itthon
Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

Infineon Technologies

IRF7534D1PBF

részvénytársaság: 491

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFU2307ZPBF

részvénytársaság: 524

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRF6712STRPBF

részvénytársaság: 122142

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 68A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 17A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFS3207PBF

részvénytársaság: 21588

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRLR4343TRPBF

részvénytársaság: 584

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFR3418TRPBF

részvénytársaság: 594

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 80V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

IPD105N03LGATMA1

részvénytársaság: 430

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

IRLU7833-701PBF

Infineon Technologies

IRLU7833-701PBF

részvénytársaság: 551

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRLR2905TRRPBF

részvénytársaság: 557

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFR3706TRLPBF

részvénytársaság: 584

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

IPW60R045CPAFKSA1

Infineon Technologies

IPW60R045CPAFKSA1

részvénytársaság: 5446

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRF3805LPBF

részvénytársaság: 624

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFR3707TRLPBF

részvénytársaság: 567

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

IPP26CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

IPP26CN10NGHKSA1

részvénytársaság: 161

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

SN7002N L6327

részvénytársaság: 310

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

SPB80N03S2L-03

részvénytársaság: 182

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPB10N03LB G

részvénytársaság: 119

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 50A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

SPB100N06S2-05

részvénytársaság: 146

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista

IPI100N06S3L-03

Infineon Technologies

IPI100N06S3L-03

részvénytársaság: 195

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPU10N03LA G

részvénytársaság: 215

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

SPB80N04S2-04

részvénytársaság: 191

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista

SPB100N06S2L-05

Infineon Technologies

SPB100N06S2L-05

részvénytársaság: 204

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPI45N06S3-16

részvénytársaság: 105

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7 mOhm @ 23A, 10V,

Kívánság lista

SPB160N04S203CTMA1

Infineon Technologies

SPB160N04S203CTMA1

részvénytársaság: 174

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista

SPP11N60CFDXKSA1

Infineon Technologies

SPP11N60CFDXKSA1

részvénytársaság: 277

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IRFL024NTRPBF

részvénytársaság: 102820

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.8A, 10V,

Kívánság lista

SPI12N50C3XKSA1

Infineon Technologies

SPI12N50C3XKSA1

részvénytársaság: 48237

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 560V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11.6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPI25N06S3L-22

részvénytársaság: 177

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6 mOhm @ 17A, 10V,

Kívánság lista

IPB048N06LGATMA1

Infineon Technologies

IPB048N06LGATMA1

részvénytársaság: 285

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPU04N03LA G

részvénytársaság: 143

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

SPP77N06S2-12

részvénytársaság: 244

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 38A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPU20N03L G

részvénytársaság: 6075

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPB80N06S3-07

részvénytársaság: 158

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 51A, 10V,

Kívánság lista

IPP120N06NGAKSA1

Infineon Technologies

IPP120N06NGAKSA1

részvénytársaság: 178

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

IPF06N03LA G

részvénytársaság: 117

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

SPB10N10L

részvénytársaság: 151

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154 mOhm @ 8.1A, 10V,

Kívánság lista

3600

«
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
»