Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf

itthon
Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf

BCR35PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

részvénytársaság: 152076

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

részvénytársaság: 1466

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 70mA, 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR 141S H6727

részvénytársaság: 1531

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR35PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

részvénytársaság: 1529

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

részvénytársaság: 1468

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR 148S H6827

részvénytársaság: 1537

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR 133S H6444

részvénytársaság: 1441

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR 141S E6727

részvénytársaság: 1506

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR 116S H6727

részvénytársaság: 3210

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR 116S E6727

részvénytársaság: 1473

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR108SH6433XTMA1

Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

részvénytársaság: 1470

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR08PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

részvénytársaság: 1495

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR48PNE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

részvénytársaság: 1457

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 70mA, 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR48PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

részvénytársaság: 3149

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 70mA, 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR35PNE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

részvénytársaság: 1427

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR22PNE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

részvénytársaság: 1454

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR198SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1473

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR22PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

részvénytársaság: 1505

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR185SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1465

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR183SE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

részvénytársaság: 1484

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

részvénytársaság: 1459

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR183SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1440

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR169SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1509

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR148SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR148SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1486

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR148SE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR148SE6433HTMA1

részvénytársaság: 1436

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR141SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR141SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1483

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR135SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR135SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1438

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR133SE6433BTMA1

Infineon Technologies

BCR133SE6433BTMA1

részvénytársaság: 1430

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR133SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR133SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1432

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR133SB6327XT

részvénytársaság: 1446

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR129SE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR129SE6327HTSA1

részvénytársaság: 1436

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR119SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR119SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1514

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR119SE6433HTMA1

Infineon Technologies

BCR119SE6433HTMA1

részvénytársaság: 1484

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR10PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR10PNE6327BTSA1

részvénytársaság: 3226

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

BCR116SE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR116SE6327BTSA1

részvénytársaság: 1508

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

Infineon Technologies

BCR10PNB6327XT

részvénytársaság: 1434

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

72

«
1
2
»