Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single | Diszkrét félvezető termékek | 60

IXFQ20N50P3

részvénytársaság: 17482

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFH180N20X3

részvénytársaság: 76

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 90A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTT30N50L2

részvénytársaság: 5280

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTX110N20L2

részvénytársaság: 2706

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 55A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFA60N25X3

részvénytársaság: 10490

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTN550N055T2

részvénytársaság: 2125

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 550A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTN30N100L

részvénytársaság: 1367

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 15A, 20V,

Kívánság lista

IXYS

IXFN32N100Q3

részvénytársaság: 1447

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 16A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTH62N65X2

részvénytársaság: 7928

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 31A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTT140N10P

részvénytársaság: 9083

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 70A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFN94N50P2

részvénytársaság: 3264

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 68A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTR48P20P

részvénytársaság: 5842

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 24A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTR16P60P

részvénytársaság: 5857

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790 mOhm @ 8A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTP15N50L2

részvénytársaság: 9356

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 7.5A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFP5N50P3

részvénytársaság: 31576

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFH20N85X

részvénytársaság: 8191

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 850V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFN110N85X

részvénytársaság: 1455

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 850V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 55A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTH67N10

részvénytársaság: 5185

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 33.5A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFK400N15X3

részvénytársaság: 124

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 400A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 200A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFH36N60P

részvénytársaság: 7134

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFT180N20X3HV

részvénytársaság: 79

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 90A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFN200N10P

részvénytársaság: 3624

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTN36N50

részvénytársaság: 3662

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc),

Kívánság lista

IXYS

IXFR120N20

részvénytársaság: 3865

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 105A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFK220N20X3

részvénytársaság: 130

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 110A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTY08N50D2

részvénytársaság: 39847

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 400mA, 0V,

Kívánság lista

IXYS

IXTP34N65X2

részvénytársaság: 161

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96 mOhm @ 17A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTA44N30T

részvénytársaság: 20696

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 300V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc),

Kívánság lista

IXYS

IXFP5N100PM

részvénytársaság: 19507

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTP1R4N120P

részvénytársaság: 20824

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTP08N120P

részvénytársaság: 28369

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFX150N15

részvénytársaság: 4436

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXFN48N50Q

részvénytársaság: 3321

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTY1N120P

részvénytársaság: 30035

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc),

Kívánság lista

IXYS

IXFH30N50P

részvénytársaság: 10154

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

IXYS

IXTA1R4N120P

részvénytársaság: 19721

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista