Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömb

itthon
Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömb

Microsemi Corporation

JAN2N3810L

részvénytársaság: 2580

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919L

részvénytársaság: 1586

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 30mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JANSR2N2920U

részvénytársaság: 4563

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 30mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JANTXV2N6987

részvénytársaság: 1339

Tranzisztor típusa: 4 PNP (Quad), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 600mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JANTX2N2920

részvénytársaság: 204

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 30mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JAN2N3811U

részvénytársaság: 4458

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JAN2N3810U

részvénytársaság: 1857

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JANTX2N3810

részvénytársaság: 2500

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JANTX2N2919U

részvénytársaság: 1225

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 30mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811U

részvénytársaság: 4514

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JANTX2N2920U

részvénytársaság: 150

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 30mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JAN2N3810

részvénytársaság: 4455

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JAN2N6988

részvénytársaság: 1482

Tranzisztor típusa: 4 PNP (Quad), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 600mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

SG2823J-DESC

részvénytársaság: 4497

Tranzisztor típusa: 8 NPN Darlington, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 95V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JAN2N3811

részvénytársaság: 5723

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

JAN2N3811L

részvénytársaság: 4466

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 50mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 60V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 10µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

SG2023J-883B

részvénytársaság: 6449

Tranzisztor típusa: 7 NPN Darlington, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 95V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Kívánság lista

89

«
1
2
3
»