Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-tömbök | Diszkrét félvezető termékek | 7

APTM10TAM19FPG

részvénytársaság: 905

FET típus: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

részvénytársaság: 622

FET típus: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

részvénytársaság: 814

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

részvénytársaság: 825

FET típus: 4 N-Channel (H-Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

részvénytársaság: 874

FET típus: 4 N-Channel (H-Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 89A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

részvénytársaság: 1737

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

részvénytársaság: 517

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V (1.2kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

részvénytársaság: 121

FET típus: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET funkció: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V (1.2kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 219A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

részvénytársaság: 485

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 372A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

részvénytársaság: 202

FET típus: 2 N Channel (Phase Leg), FET funkció: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V (1.2kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

részvénytársaság: 341

FET típus: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 116A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 6mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

részvénytársaság: 772

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V (1kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

részvénytársaság: 1322

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

részvénytársaság: 81

FET típus: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V (1.2kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ),

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

részvénytársaság: 2039

FET típus: 4 N-Channel (H-Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

részvénytársaság: 808

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

részvénytársaság: 635

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V (1.2kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

részvénytársaság: 726

FET típus: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

részvénytársaság: 866

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

részvénytársaság: 400

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 495A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

részvénytársaság: 1457

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

részvénytársaság: 1133

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

részvénytársaság: 485

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 45A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

részvénytársaság: 1289

FET típus: 4 N-Channel (H-Bridge), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

részvénytársaság: 748

FET típus: 4 N-Channel (H-Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

részvénytársaság: 856

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

részvénytársaság: 162

FET típus: 2 N Channel (Phase Leg), FET funkció: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V (1.2kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 295A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ),

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

részvénytársaság: 2258

FET típus: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET funkció: Logic Level Gate, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

részvénytársaság: 1478

FET típus: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

részvénytársaság: 558

FET típus: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

részvénytársaság: 1267

FET típus: 2 N-Channel (Dual), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V (1kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

részvénytársaság: 1093

FET típus: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

részvénytársaság: 1492

FET típus: 4 N-Channel (H-Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V (1kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 19A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

részvénytársaság: 809

FET típus: 4 N-Channel (H-Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

részvénytársaság: 757

FET típus: 4 N-Channel (H-Bridge), FET funkció: Super Junction, Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

részvénytársaság: 379

FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: Standard, Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V (1kV), Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Kívánság lista