Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e | Diszkrét félvezető termékek | 5

PDTC124TK,115

részvénytársaság: 1921

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA124EE,115

részvénytársaság: 1920

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC124EK,115

részvénytársaság: 2035

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC124TS,126

részvénytársaság: 1989

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA144TE,115

részvénytársaság: 3251

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTB123TS,126

részvénytársaság: 3227

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC143EK,115

részvénytársaság: 1932

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA143EK,115

részvénytársaság: 2057

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA144VK,115

részvénytársaság: 1942

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTD123TS,126

részvénytársaság: 1954

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA143XK,115

részvénytársaság: 1913

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC143EEF,115

részvénytársaság: 1982

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC123ES,126

részvénytársaság: 1997

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTB113ES,126

részvénytársaság: 1965

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC124ES,126

részvénytársaság: 1970

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA114TE,115

részvénytársaság: 1980

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA143XE,115

részvénytársaság: 1941

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PBRP123ES,126

részvénytársaság: 1949

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA123YS,126

részvénytársaság: 2027

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA144EK,115

részvénytársaság: 1993

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC123JE,115

részvénytársaság: 1946

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTB123YK,115

részvénytársaság: 1943

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTB123EK,115

részvénytársaság: 1946

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC114TK,115

részvénytársaság: 2044

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA143XS,126

részvénytársaság: 1934

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA323TK,115

részvénytársaság: 1932

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 15V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PBRN123YK,115

részvénytársaság: 1929

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 600mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 40V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA123JE,115

részvénytársaság: 3222

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA143TK,115

részvénytársaság: 1989

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC114YK,115

részvénytársaság: 1920

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTD123YS,126

részvénytársaság: 2006

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTD123TK,115

részvénytársaság: 1928

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTD123YK,115

részvénytársaság: 1992

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC123YS,126

részvénytársaság: 1995

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTA144WS,126

részvénytársaság: 1954

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista

NXP USA Inc.

PDTC124XE,115

részvénytársaság: 2012

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista