Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single
FQP7P06
ON Semiconductor

FQP7P06

részvénytársaság: 85165

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 3.5A, 10V,

Kívánság lista
NTH027N65S3F-F155
ON Semiconductor

NTH027N65S3F-F155

részvénytársaság: 2559

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4 mOhm @ 35A, 10V,

Kívánság lista
FQP11P06
ON Semiconductor

FQP11P06

részvénytársaság: 74779

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 5.7A, 10V,

Kívánság lista
FCP190N65S3
ON Semiconductor

FCP190N65S3

részvénytársaság: 4261

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 8.5A, 10V,

Kívánság lista
FQP2N90
ON Semiconductor

FQP2N90

részvénytársaság: 71792

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V,

Kívánság lista
FDB12N50FTM-WS
ON Semiconductor

FDB12N50FTM-WS

részvénytársaság: 4308

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 6A, 10V,

Kívánság lista
FDB3682
ON Semiconductor

FDB3682

részvénytársaság: 87233

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 32A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V,

Kívánság lista
HUF75332P3
ON Semiconductor

HUF75332P3

részvénytársaság: 44159

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V,

Kívánság lista
FDP18N20F
ON Semiconductor

FDP18N20F

részvénytársaság: 39853

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 9A, 10V,

Kívánság lista
FCP9N60N-F102
ON Semiconductor

FCP9N60N-F102

részvénytársaság: 4310

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 4.5A, 10V,

Kívánság lista
FDP3652
ON Semiconductor

FDP3652

részvénytársaság: 70493

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 61A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 61A, 10V,

Kívánság lista
IRF530A
ON Semiconductor

IRF530A

részvénytársaság: 146296

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 7A, 10V,

Kívánság lista
FQP85N06
ON Semiconductor

FQP85N06

részvénytársaság: 22914

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 42.5A, 10V,

Kívánság lista
FCH47N60-F085
ON Semiconductor

FCH47N60-F085

részvénytársaság: 2906

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 47A, 10V,

Kívánság lista
FQPF3N80C
ON Semiconductor

FQPF3N80C

részvénytársaság: 159410

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista
FQA9N90C-F109
ON Semiconductor

FQA9N90C-F109

részvénytársaság: 2896

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Kívánság lista
FDP2710
ON Semiconductor

FDP2710

részvénytársaság: 20288

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista
FQB7P20TM
ON Semiconductor

FQB7P20TM

részvénytársaság: 95572

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 3.65A, 10V,

Kívánság lista
HUF75639G3
ON Semiconductor

HUF75639G3

részvénytársaság: 22372

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

Kívánság lista
SFT1445-TL-H
ON Semiconductor

SFT1445-TL-H

részvénytársaság: 130336

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111 mOhm @ 8.5A, 10V,

Kívánság lista
FCP165N60E
ON Semiconductor

FCP165N60E

részvénytársaság: 25683

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11.5A, 10V,

Kívánság lista
FDB024N08BL7
ON Semiconductor

FDB024N08BL7

részvénytársaság: 36581

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 80V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Kívánság lista
FCH104N60
ON Semiconductor

FCH104N60

részvénytársaság: 14597

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 18.5A, 10V,

Kívánság lista
FQPF6N80CT
ON Semiconductor

FQPF6N80CT

részvénytársaság: 42411

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V,

Kívánság lista
FDP100N10
ON Semiconductor

FDP100N10

részvénytársaság: 52743

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista
FQPF9N90CT
ON Semiconductor

FQPF9N90CT

részvénytársaság: 31996

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V,

Kívánság lista
FQP50N06
ON Semiconductor

FQP50N06

részvénytársaság: 40067

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista
FDP5800
ON Semiconductor

FDP5800

részvénytársaság: 27220

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V,

Kívánság lista
FQPF2N70
ON Semiconductor

FQPF2N70

részvénytársaság: 41698

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 700V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 1A, 10V,

Kívánság lista
FDPF51N25YDTU
ON Semiconductor

FDPF51N25YDTU

részvénytársaság: 32405

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V,

Kívánság lista
NTHL040N65S3F
ON Semiconductor

NTHL040N65S3F

részvénytársaság: 2953

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 32.5A, 10V,

Kívánság lista
FCP22N60N-F102
ON Semiconductor

FCP22N60N-F102

részvénytársaság: 4269

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11A, 10V,

Kívánság lista
FDA28N50
ON Semiconductor

FDA28N50

részvénytársaság: 11421

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 14A, 10V,

Kívánság lista
FQP17P10
ON Semiconductor

FQP17P10

részvénytársaság: 60052

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 8.25A, 10V,

Kívánság lista
FQPF65N06
ON Semiconductor

FQPF65N06

részvénytársaság: 26010

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista
FDB3502
ON Semiconductor

FDB3502

részvénytársaság: 134180

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 14A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6A, 10V,

Kívánság lista