Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

MCH3481-TL-W

részvénytársaság: 168293

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 1A, 4.5V,

NTP5864NG

részvénytársaság: 74756

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 20A, 10V,

FDMS86104

részvénytársaság: 73643

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 16A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V,

SFT1440-TL-E

részvénytársaság: 1112

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 Ohm @ 800mA, 10V,

SCH1439-TL-H

részvénytársaság: 1198

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 1.5A, 10V,

NTJS4405NT1G

részvénytársaság: 164477

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

SCH1330-TL-H

részvénytársaság: 1185

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 241 mOhm @ 750mA, 4.5V,

NTD4979NT4G

részvénytársaság: 1434

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 41A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

FDMC510P-F106

részvénytársaság: 9958

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 18A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 4.5V,

FDMA86151L

részvénytársaság: 169949

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.3A, 10V,

WPB4002

részvénytársaság: 1207

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 11.5A, 10V,

FDMS7558S

részvénytársaság: 98535

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 49A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 32A, 10V,

NVTFS5820NLTAG

részvénytársaság: 124612

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 8.7A, 10V,

NDF03N60ZH

részvénytársaság: 1340

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

FDWS9408-F085

részvénytársaság: 9958

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 80A, 10V,

FDMA008P20LZ

részvénytársaság: 105227

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

FDMS7660AS

részvénytársaság: 105923

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 42A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

NVTJD4401NT1G

részvénytársaság: 1436

FDMS86202ET120

részvénytársaság: 33710

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 120V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 102A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 13.5A, 10V,

FDFMA2P029Z

részvénytársaság: 139835

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

FDMS0302S

részvénytársaság: 133774

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 49A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 28A, 10V,

NVR1P02T1G

részvénytársaság: 195086

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDMS3500

részvénytársaság: 89693

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 75V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 11.5A, 10V,

NTMFS5830NLT1G

részvénytársaság: 1162

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 172A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 20A, 10V,

CPH3362-TL-W

részvénytársaság: 153143

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 700mA, 10V,

FDP5N50NZ

részvénytársaság: 51623

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V,

NTMFS4833NST3G

részvénytársaság: 1480

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 156A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

FDMS0310S

részvénytársaság: 199612

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 42A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 18A, 10V,

FCP20N60FS

részvénytársaság: 1245

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

FDMT1D3N08B

részvénytársaság: 9958

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 80V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 164A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 36A, 10V,

NVTFS4824NTWG

részvénytársaság: 166486

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 18.2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 23A, 10V,

FDMC86340ET80

részvénytársaság: 67863

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 80V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 68A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 10V,

SCH1334-TL-H

részvénytársaság: 1214

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 800mA, 4.5V,

NVC6S5A354PLZT1G

részvénytársaság: 105734

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V,

NVTR4503NT1G

részvénytársaság: 164993

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

NVB60N06T4G

részvénytársaság: 42684

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,