Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single
NTP6411ANG
ON Semiconductor

NTP6411ANG

részvénytársaság: 6129

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 72A, 10V,

Kívánság lista
NTD4909NAT4G
ON Semiconductor

NTD4909NAT4G

részvénytársaság: 897

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
NTMFS4921NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4921NT1G

részvénytársaság: 1106

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
NTMFS4827NET1G
ON Semiconductor

NTMFS4827NET1G

részvénytársaság: 1138

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
NDF11N50ZG
ON Semiconductor

NDF11N50ZG

részvénytársaság: 109047

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 4.5A, 10V,

Kívánság lista
NTD4960N-35G
ON Semiconductor

NTD4960N-35G

részvénytársaság: 921

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), 55A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
NTMFS5834NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5834NLT1G

részvénytársaság: 1131

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista
NVMS10P02R2G
ON Semiconductor

NVMS10P02R2G

részvénytársaság: 891

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta),

Kívánság lista
CPH6347-TL-H
ON Semiconductor

CPH6347-TL-H

részvénytársaság: 1154

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 3A, 4.5V,

Kívánság lista
NTD4906NA-35G
ON Semiconductor

NTD4906NA-35G

részvénytársaság: 913

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
NDD03N60ZT4G
ON Semiconductor

NDD03N60ZT4G

részvénytársaság: 176002

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

Kívánság lista
NTD4959NH-35G
ON Semiconductor

NTD4959NH-35G

részvénytársaság: 893

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 58A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
NTMKE4891NT1G
ON Semiconductor

NTMKE4891NT1G

részvénytársaság: 6128

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 26.7A (Ta), 151A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 29A, 10V,

Kívánság lista
NDF04N60ZG
ON Semiconductor

NDF04N60ZG

részvénytársaság: 178286

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

Kívánság lista
FDB2614
ON Semiconductor

FDB2614

részvénytársaság: 26957

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 31A, 10V,

Kívánság lista
NTD4969N-35G
ON Semiconductor

NTD4969N-35G

részvénytársaság: 1039

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 41A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
NTLUS3192PZTAG
ON Semiconductor

NTLUS3192PZTAG

részvénytársaság: 851

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,

Kívánság lista
NTLUS4195PZTBG
ON Semiconductor

NTLUS4195PZTBG

részvénytársaság: 881

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

Kívánság lista
NTB6411ANG
ON Semiconductor

NTB6411ANG

részvénytársaság: 864

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 72A, 10V,

Kívánság lista
FQA10N80_F109
ON Semiconductor

FQA10N80_F109

részvénytársaság: 566

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9.8A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 4.9A, 10V,

Kívánság lista
TLC530FTU
ON Semiconductor

TLC530FTU

részvénytársaság: 768

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 330V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta),

Kívánság lista
NTLJS1102PTBG
ON Semiconductor

NTLJS1102PTBG

részvénytársaság: 630

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 8V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

Kívánság lista
FQA90N10V2
ON Semiconductor

FQA90N10V2

részvénytársaság: 659

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 105A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 52.5A, 10V,

Kívánság lista
FDD5N50FTF_WS
ON Semiconductor

FDD5N50FTF_WS

részvénytársaság: 590

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 1.75A, 10V,

Kívánság lista
FDS3680
ON Semiconductor

FDS3680

részvénytársaság: 601

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5.2A, 10V,

Kívánság lista
IRFS644BYDTU_AS001
ON Semiconductor

IRFS644BYDTU_AS001

részvénytársaság: 640

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 7A, 10V,

Kívánság lista
FQPF6N90CT
ON Semiconductor

FQPF6N90CT

részvénytársaság: 609

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V,

Kívánság lista
FDS6680S
ON Semiconductor

FDS6680S

részvénytársaság: 663

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 11.5A, 10V,

Kívánság lista
NTLJD3182FZTAG
ON Semiconductor

NTLJD3182FZTAG

részvénytársaság: 675

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

Kívánság lista
NDS8410A
ON Semiconductor

NDS8410A

részvénytársaság: 744

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10.8A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10.8A, 10V,

Kívánság lista
IRFU220BTU_F080
ON Semiconductor

IRFU220BTU_F080

részvénytársaság: 768

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

Kívánság lista
FDB8878
ON Semiconductor

FDB8878

részvénytársaság: 648

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 40A, 10V,

Kívánság lista
FQPF18N20V2YDTU
ON Semiconductor

FQPF18N20V2YDTU

részvénytársaság: 595

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V,

Kívánság lista
NTB23N03RT4G
ON Semiconductor

NTB23N03RT4G

részvénytársaság: 821

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,

Kívánság lista
NTD4865NT4G
ON Semiconductor

NTD4865NT4G

részvénytársaság: 656

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 44A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
FCPF20N60TYDTU
ON Semiconductor

FCPF20N60TYDTU

részvénytársaság: 586

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista