Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single
FQA18N50V2
ON Semiconductor

FQA18N50V2

részvénytársaság: 40

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista
FQI12N60TU
ON Semiconductor

FQI12N60TU

részvénytársaság: 9996

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.3A, 10V,

Kívánság lista
FQPF90N10V2
ON Semiconductor

FQPF90N10V2

részvénytársaság: 6099

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 45A, 10V,

Kívánság lista
FQB12N60TM_AM002
ON Semiconductor

FQB12N60TM_AM002

részvénytársaság: 10025

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.3A, 10V,

Kívánság lista
HUFA75337G3
ON Semiconductor

HUFA75337G3

részvénytársaság: 10004

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista
FDD5810
ON Semiconductor

FDD5810

részvénytársaság: 91

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Ta), 37A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 32A, 10V,

Kívánság lista
FDME910PZT
ON Semiconductor

FDME910PZT

részvénytársaság: 103388

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 4.5V,

Kívánság lista
NDB7051
ON Semiconductor

NDB7051

részvénytársaság: 10010

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 35A, 10V,

Kívánság lista
HUF75343S3ST
ON Semiconductor

HUF75343S3ST

részvénytársaság: 10008

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista
HUFA75433S3ST
ON Semiconductor

HUFA75433S3ST

részvénytársaság: 10054

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 64A, 10V,

Kívánság lista
FDS8842NZ
ON Semiconductor

FDS8842NZ

részvénytársaság: 137881

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14.9A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14.9A, 10V,

Kívánság lista
NTD20P06L-1G
ON Semiconductor

NTD20P06L-1G

részvénytársaság: 260

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 7.5A, 5V,

Kívánság lista
FDPF79N15
ON Semiconductor

FDPF79N15

részvénytársaság: 59

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 79A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 39.5A, 10V,

Kívánság lista
SFH154
ON Semiconductor

SFH154

részvénytársaság: 10043

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 17A, 10V,

Kívánság lista
FDD8586
ON Semiconductor

FDD8586

részvénytársaság: 144

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 35A, 10V,

Kívánság lista
FCU5N60TU
ON Semiconductor

FCU5N60TU

részvénytársaság: 72999

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.3A, 10V,

Kívánság lista
NTB65N02R
ON Semiconductor

NTB65N02R

részvénytársaság: 319

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 25V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista
NTD110N02RG
ON Semiconductor

NTD110N02RG

részvénytársaság: 341

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 24V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), 110A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista
NTD20P06LG
ON Semiconductor

NTD20P06LG

részvénytársaság: 317

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 7.5A, 5V,

Kívánság lista
NTD3055L104
ON Semiconductor

NTD3055L104

részvénytársaság: 311

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 6A, 5V,

Kívánság lista
FQPF6N90
ON Semiconductor

FQPF6N90

részvénytársaság: 10065

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 1.7A, 10V,

Kívánság lista
FQAF6N90
ON Semiconductor

FQAF6N90

részvénytársaság: 10042

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 2.3A, 10V,

Kívánság lista
SFH9250L
ON Semiconductor

SFH9250L

részvénytársaság: 10065

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 19.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 9.8A, 5V,

Kívánság lista
HUFA76437S3S
ON Semiconductor

HUFA76437S3S

részvénytársaság: 10039

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 71A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 71A, 10V,

Kívánság lista
FQA24N50F
ON Semiconductor

FQA24N50F

részvénytársaság: 66

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 12A, 10V,

Kívánság lista
FCD620N60ZF
ON Semiconductor

FCD620N60ZF

részvénytársaság: 89728

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 3.6A, 10V,

Kívánság lista
MTD6N20ET4G
ON Semiconductor

MTD6N20ET4G

részvénytársaság: 47

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3A, 10V,

Kívánság lista
MTD5P06VT4G
ON Semiconductor

MTD5P06VT4G

részvénytársaság: 92

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista
FQPF6N80
ON Semiconductor

FQPF6N80

részvénytársaság: 10008

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V,

Kívánság lista
HUFA75339P3
ON Semiconductor

HUFA75339P3

részvénytársaság: 6012

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista
FQP90N10V2
ON Semiconductor

FQP90N10V2

részvénytársaság: 10092

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 45A, 10V,

Kívánság lista
HUFA75652G3
ON Semiconductor

HUFA75652G3

részvénytársaság: 107

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista
HUFA76645S3ST
ON Semiconductor

HUFA76645S3ST

részvénytársaság: 60

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista
FDD5353
ON Semiconductor

FDD5353

részvénytársaság: 101331

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), 50A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 10.7A, 10V,

Kívánság lista
NTB75N06LT4G
ON Semiconductor

NTB75N06LT4G

részvénytársaság: 312

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 5V,

Kívánság lista
FQPF27N25T
ON Semiconductor

FQPF27N25T

részvénytársaság: 10005

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 7A, 10V,

Kívánság lista