Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

itthon
Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

Rohm Semiconductor

RQ3E150GNTB

részvénytársaság: 143170

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RQ5C035BCTCL

részvénytársaság: 153058

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RU1C002ZPTCL

részvénytársaság: 135551

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTF025N03TL

részvénytársaság: 131049

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RF4E080GNTR

részvénytársaság: 141715

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 8A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RHK005N03T146

részvénytársaság: 113939

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSU002N06T106

részvénytársaság: 104070

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RT1A050ZPTR

részvénytársaság: 189488

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTE002P02TL

részvénytársaság: 158987

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTL030P02TR

részvénytársaság: 168289

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

QS5U13TR

részvénytársaság: 106198

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

QS5U17TR

részvénytársaság: 194462

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RZQ045P01TR

részvénytársaság: 175508

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RRQ045P03TR

részvénytársaság: 100214

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTR020P02TL

részvénytársaság: 175355

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RQ5E035ATTCL

részvénytársaság: 169961

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSR015P03TL

részvénytársaság: 170687

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RRH050P03TB1

részvénytársaság: 934

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS090P03FU6TB

részvénytársaság: 73095

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RRS090P03TB1

részvénytársaság: 952

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta),

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS120N03FU6TB

részvénytársaság: 912

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS075P03FU6TB

részvénytársaság: 94379

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS105N03FU6TB

részvénytársaság: 953

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS050P03FU6TB

részvénytársaság: 135566

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

SCT2080KEC

részvénytársaság: 4122

FET típus: N-Channel, Technológia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RP1E100RPTR

részvénytársaság: 949

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS125N03FU6TB

részvénytársaság: 98050

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 12.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS040P03FU6TB

részvénytársaság: 146781

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RMW150N03TB

részvénytársaság: 1105

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS130N03FU6TB

részvénytársaság: 83883

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 13A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RCD040N25TL

részvénytársaság: 986

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS110N03FU6TB

részvénytársaság: 103226

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 11A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS080N05FU6TB

részvénytársaság: 940

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta),

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

SCT2H12NZGC11

részvénytársaság: 14753

FET típus: N-Channel, Technológia: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1700V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSS100N03FU6TB

részvénytársaság: 117457

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RDN100N20FU6

részvénytársaság: 24446

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

644

«
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
»