Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Diódák - egyenirányít&

  • itthon
  •  
  • Diódák - egyenirányít&
UG2DHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2DHB0G

részvénytársaság: 113

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 950mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 25ns,

Kívánság lista
S1JL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL M2G

részvénytársaság: 104

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.8µs,

Kívánság lista
ES1JLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLHRUG

részvénytársaság: 167

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.7V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
ES1DLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DLHM2G

részvénytársaság: 131

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 950mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
HS1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1AL R3G

részvénytársaság: 143

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 950mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
ES1HL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1HL R3G

részvénytársaság: 181

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 500V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.7V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
SRT16 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT16 A0G

részvénytársaság: 117

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 60V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 700mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SS34LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34LHRUG

részvénytársaság: 152

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 40V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 500mV @ 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RSFML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFML RUG

részvénytársaság: 189

Dióda típusa: Standard, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 500mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 500mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 500ns,

Kívánság lista
S1JL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL RUG

részvénytársaság: 114

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.8µs,

Kívánság lista
ES1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL R3G

részvénytársaság: 187

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 950mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
HS1BL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1BL R3G

részvénytársaság: 99

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 950mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
MUR4L20HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L20HB0G

részvénytársaság: 117

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 4A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 890mV @ 4A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 25ns,

Kívánság lista
SS22LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHR3G

részvénytársaság: 187

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 20V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 500mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SFT14G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT14G A1G

részvénytársaság: 116

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 950mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
S1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHR3G

részvénytársaság: 188

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.8µs,

Kívánság lista
S1DLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLHRUG

részvénytársaság: 172

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.8µs,

Kívánság lista
S1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GL RUG

részvénytársaság: 99

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.8µs,

Kívánság lista
SS22L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22L RUG

részvénytársaság: 116

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 20V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 500mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
HS1JL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1JL R3G

részvénytársaság: 137

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.7V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 75ns,

Kívánság lista
RSFJL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJL RUG

részvénytársaság: 149

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 500mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 500mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 250ns,

Kívánság lista
S1ALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ALHR3G

részvénytársaság: 105

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.8µs,

Kívánság lista
RS1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ML RUG

részvénytársaság: 186

Dióda típusa: Standard, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 800mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 800mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 500ns,

Kívánság lista
UG58G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG58G B0G

részvénytársaság: 131

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 2.1V @ 5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 20ns,

Kívánság lista
UG56G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG56G A0G

részvénytársaság: 185

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.55V @ 5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 20ns,

Kívánság lista
UG06CHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG06CHA0G

részvénytársaság: 107

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 150V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 600mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 950mV @ 600mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 15ns,

Kívánság lista
RS1JLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHM2G

részvénytársaság: 121

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 800mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 800mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 250ns,

Kívánság lista
RS1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GLHR3G

részvénytársaság: 127

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 800mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 800mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 150ns,

Kívánság lista
SS24LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS24LHR3G

részvénytársaság: 153

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 40V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 500mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
S1MLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MLHR3G

részvénytársaság: 159

Dióda típusa: Standard, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.8µs,

Kívánság lista
RS1ML R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ML R3G

részvénytársaság: 146

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 1000V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 800mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 800mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 500ns,

Kívánság lista
SS36LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36LHM2G

részvénytársaság: 161

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 60V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 750mV @ 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RSFKLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKLHR3G

részvénytársaság: 127

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 800V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 500mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 500mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 500ns,

Kívánság lista
RSFJLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJLHM2G

részvénytársaság: 136

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 500mA, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 500mA, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 250ns,

Kívánság lista
SS14L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L RVG

részvénytársaság: 151

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 40V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 550mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
ES1GL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GL RFG

részvénytársaság: 174

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista