FET típus: 2 N-Channel (Half Bridge), FET funkció: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
