Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single | Diszkrét félvezető termékek | 100

SI4490DY-T1-GE3

részvénytársaság: 93663

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.85A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4162DY-T1-GE3

részvénytársaság: 136243

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 19.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SQD25N06-22L_T4GE3

részvénytársaság: 10819

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI5415EDU-T1-GE3

részvénytársaság: 183179

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 10A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI7860DP-T1-E3

részvénytársaság: 1536

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

IRFU010

részvénytársaság: 1519

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4104DY-T1-GE3

részvénytársaság: 1595

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4378DY-T1-GE3

részvénytársaság: 85858

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

IRLR014

részvénytársaság: 23606

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SUP75P05-08-E3

részvénytársaság: 1496

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SIS426DN-T1-GE3

részvénytársaság: 1603

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SQ4005EY-T1_GE3

részvénytársaság: 10757

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm@ 13.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4465ADY-T1-E3

részvénytársaság: 78313

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 8V, Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4156DY-T1-GE3

részvénytársaság: 176158

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15.7A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4062DY-T1-GE3

részvénytársaság: 95264

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 32.1A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SUD50N04-05L-E3

részvénytársaság: 6234

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 115A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

IRFD113PBF

részvénytársaság: 70512

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 800mA, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI2305ADS-T1-E3

részvénytársaság: 1483

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 8V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI2392DS-T1-GE3

részvénytársaság: 1591

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 2A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

IRF1405ZTRR

részvénytársaság: 1590

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 55V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI1307DL-T1-E3

részvénytársaság: 1508

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 850mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI3445DV-T1-E3

részvénytársaság: 1520

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 8V, Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

IRF9620PBF

részvénytársaság: 49857

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-GE3

részvénytársaság: 38974

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 150V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SUP70N03-09BP-E3

részvénytársaság: 1478

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

IRFU310PBF

részvénytársaság: 44193

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 400V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4122DY-T1-GE3

részvénytársaság: 87608

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 40V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 27.2A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4688DY-T1-GE3

részvénytársaság: 1587

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI5435BDC-T1-E3

részvénytársaság: 1548

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.3A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SUM60N02-3M9P-E3

részvénytársaság: 29222

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4860DY-T1-E3

részvénytársaság: 1535

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 16A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4634DY-T1-GE3

részvénytársaság: 86565

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 24.5A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4427BDY-T1-GE3

részvénytársaság: 83615

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI3445ADV-T1-E3

részvénytársaság: 6214

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 8V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SI4823DY-T1-GE3

részvénytársaság: 150097

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Kívánság lista

Vishay Siliconix

SISA18DN-T1-GE3

részvénytársaság: 1484

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 38.3A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista