| típus | Leírás |
| Alkatrész állapota | Obsolete |
|---|---|
| FET típus | - |
| Technológia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source feszültség (Vdss) | 650V |
| Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Kapu töltése (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max) | - |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
| FET funkció | - |
| Teljesítmény-leadás (Max) | 125W (Tc) |
| Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Szerelési típus | Surface Mount |
| Szállítói eszközcsomag | TO-276 |
| Csomag / tok | TO-276AA |
| RoHS állapota | RoHS-kompatibilis |
|---|---|
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | Nem alkalmazható |
| Életciklus állapota | Elavult / az élet vége |
| Stock kategória | Elérhető készlet |
