| típus | Leírás |
| Alkatrész állapota | Active |
|---|---|
| FET típus | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET funkció | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source feszültség (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 148A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 4mA |
| Kapu töltése (Qg) (Max) @ Vgs | 544nC @ 20V |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 1000V |
| Teljesítmény - Max | 937W |
| Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus | Chassis Mount |
| Csomag / tok | SP3 |
| Szállítói eszközcsomag | SP3 |
| RoHS állapota | RoHS-kompatibilis |
|---|---|
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | Nem alkalmazható |
| Életciklus állapota | Elavult / az élet vége |
| Stock kategória | Elérhető készlet |
