| típus | Leírás |
| Alkatrész állapota | Active |
|---|---|
| FET típus | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET funkció | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source feszültség (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 22mA |
| Kapu töltése (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Teljesítmény - Max | 780W |
| Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus | - |
| Csomag / tok | Module |
| Szállítói eszközcsomag | Module |
| RoHS állapota | RoHS-kompatibilis |
|---|---|
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | Nem alkalmazható |
| Életciklus állapota | Elavult / az élet vége |
| Stock kategória | Elérhető készlet |
