| típus | Leírás |
| Alkatrész állapota | Obsolete |
|---|---|
| FET típus | N-Channel |
| Technológia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source feszültség (Vdss) | 1200V |
| Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
| Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Kapu töltése (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (max) | +25V, -5V |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| FET funkció | - |
| Teljesítmény-leadás (Max) | 313mW (Tj) |
| Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus | Surface Mount |
| Szállítói eszközcsomag | Die |
| Csomag / tok | Die |
| RoHS állapota | RoHS-kompatibilis |
|---|---|
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | Nem alkalmazható |
| Életciklus állapota | Elavult / az élet vége |
| Stock kategória | Elérhető készlet |
