| típus | Leírás |
| Alkatrész állapota | Active |
|---|---|
| FET típus | - |
| Technológia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source feszültség (Vdss) | 1200V |
| Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Kapu töltése (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max) | - |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 7209pF @ 800V |
| FET funkció | - |
| Teljesítmény-leadás (Max) | 583W (Tc) |
| Üzemi hőmérséklet | 175°C (TJ) |
| Szerelési típus | Through Hole |
| Szállítói eszközcsomag | TO-247AB |
| Csomag / tok | TO-247-3 |
| RoHS állapota | RoHS-kompatibilis |
|---|---|
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | Nem alkalmazható |
| Életciklus állapota | Elavult / az élet vége |
| Stock kategória | Elérhető készlet |
