| típus | Leírás |
| Alkatrész állapota | Active |
|---|---|
| FET típus | N-Channel |
| Technológia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source feszültség (Vdss) | 1200V |
| Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
| Kapu töltése (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 20V |
| Vgs (max) | +25V, -10V |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 400V |
| FET funkció | - |
| Teljesítmény-leadás (Max) | 270W (Tc) |
| Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Szerelési típus | Through Hole |
| Szállítói eszközcsomag | HiP247™ |
| Csomag / tok | TO-247-3 |
| RoHS állapota | RoHS-kompatibilis |
|---|---|
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | Nem alkalmazható |
| Életciklus állapota | Elavult / az élet vége |
| Stock kategória | Elérhető készlet |
