| típus | Leírás |
| Alkatrész állapota | Obsolete |
|---|---|
| FET típus | P-Channel |
| Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source feszültség (Vdss) | 20V |
| Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Kapu töltése (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (max) | ±12V |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
| FET funkció | Schottky Diode (Isolated) |
| Teljesítmény-leadás (Max) | 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) |
| Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus | Surface Mount |
| Szállítói eszközcsomag | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Csomag / tok | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| RoHS állapota | RoHS-kompatibilis |
|---|---|
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | Nem alkalmazható |
| Életciklus állapota | Elavult / az élet vége |
| Stock kategória | Elérhető készlet |
