Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

itthon
Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

Microsemi Corporation

APT24F50B

részvénytársaság: 10342

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 11A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT30F50S

részvénytársaság: 10614

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 14A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT9F100B

részvénytársaság: 11983

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT75F50B2

részvénytársaság: 4605

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT56F60L

részvénytársaság: 4448

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 28A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT50M65LLLG

részvénytársaság: 2976

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 33.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT47F60J

részvénytársaság: 2122

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 33A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT32F120J

részvénytársaság: 1625

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT50M50JLL

részvénytársaság: 1768

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 71A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 35.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT22F100J

részvénytársaság: 2256

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APL602LG

részvénytársaság: 1505

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 24.5A, 12V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT13F120B

részvénytársaság: 5984

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 7A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT100F50J

részvénytársaság: 1308

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 103A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 75A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT60M60JFLL

részvénytársaság: 964

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 35A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT30M40JVFR

részvénytársaság: 2036

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 300V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT38F50J

részvénytársaság: 2741

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT66F60L

részvénytársaság: 3254

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 33A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APL602B2G

részvénytársaság: 1530

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 24.5A, 12V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT26F120B2

részvénytársaság: 2923

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT37F50S

részvénytársaság: 7895

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT17F120J

részvénytársaság: 2273

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 14A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT47N65BC3G

részvénytársaság: 5485

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APL502B2G

részvénytársaság: 1637

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 29A, 12V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT94N65B2C6

részvénytársaság: 3127

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 650V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 35.2A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT106N60B2C6

részvénytársaság: 3864

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 106A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 53A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT43M60L

részvénytársaság: 5054

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 21A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT5010B2LLG

részvénytársaság: 4421

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT13F120S

részvénytársaság: 6239

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 7A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT42F50S

részvénytársaság: 6431

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 21A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APL502J

részvénytársaság: 1081

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 26A, 12V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT5010B2FLLG

részvénytársaság: 3693

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APL502LG

részvénytársaság: 1397

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 29A, 12V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT5014BLLG

részvénytársaság: 4270

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 17.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT18M80B

részvénytársaság: 7664

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 9A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT11N80BC3G

részvénytársaság: 11001

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT34N80LC3G

részvénytársaság: 7022

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

Kívánság lista

596

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»