Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

itthon
Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single

Microsemi Corporation

APTM120UM70FAG

részvénytársaság: 339

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 171A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 85.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT58M50JU2

részvénytársaság: 2017

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20DAM04G

részvénytársaság: 666

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 372A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60SKM24T1G

részvénytársaság: 1266

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM50SKM19G

részvénytársaság: 703

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 163A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTC60DAM18CTG

részvénytársaság: 837

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 143A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM10DAM05TG

részvénytársaság: 1270

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 278A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM100UM65DAG

részvénytársaság: 401

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 145A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT5010JVRU3

részvénytársaság: 1676

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20SKM04G

részvénytársaság: 575

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 372A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT50M75JLLU3

részvénytársaság: 1669

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT20M22JVRU2

részvénytársaság: 2774

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 48.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM20UM03FAG

részvénytársaság: 348

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 580A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 290A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM100DA18TG

részvénytársaság: 1110

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM100DAM90G

részvénytársaság: 663

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT50M75JLLU2

részvénytársaság: 2501

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM50DAM19G

részvénytársaság: 700

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 163A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM100SK33T1G

részvénytársaság: 2465

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT20M22JVRU3

részvénytársaság: 2717

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 48.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM10UM02FAG

részvénytársaság: 598

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 570A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT30N60BC6

részvénytársaság: 10292

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT34N80B2C3G

részvénytársaság: 5891

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT56F50B2

részvénytársaság: 4759

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT40SM120J

részvénytársaság: 1532

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT41F100J

részvénytársaság: 1368

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 33A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT17F100B

részvénytársaság: 5570

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 9A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT53N60BC6

részvénytársaság: 6683

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT38F80L

részvénytársaság: 3497

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 20A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT50M38JLL

részvénytársaság: 1146

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 44A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT30M70BVRG

részvénytársaság: 4637

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 300V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT47N60BC3G

részvénytársaság: 4645

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT38N60BC6

részvénytársaság: 8547

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APTM10UM01FAG

részvénytársaság: 384

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 860A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 275A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT51M50J

részvénytársaság: 2614

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT5010LLLG

részvénytársaság: 3721

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

Kívánság lista

Microsemi Corporation

APT5010JLLU2

részvénytársaság: 2221

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

Kívánság lista

596

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»