Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e
FJX4008RTF
ON Semiconductor

FJX4008RTF

részvénytársaság: 2118

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
NSVMUN2233T1G
ON Semiconductor

NSVMUN2233T1G

részvénytársaság: 128399

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJY3002R
ON Semiconductor

FJY3002R

részvénytársaság: 173959

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
MUN5216T1
ON Semiconductor

MUN5216T1

részvénytársaság: 1871

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5231T1
ON Semiconductor

MUN5231T1

részvénytársaság: 1922

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVDTC123JET1G
ON Semiconductor

NSVDTC123JET1G

részvénytársaság: 119366

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA114YF3T5G
ON Semiconductor

NSBA114YF3T5G

részvénytársaság: 119130

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJN3302RTA
ON Semiconductor

FJN3302RTA

részvénytársaság: 118552

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
FJV3102RMTF
ON Semiconductor

FJV3102RMTF

részvénytársaság: 155941

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
MUN5235T1
ON Semiconductor

MUN5235T1

részvénytársaság: 1934

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
DTC114TM3T5G
ON Semiconductor

DTC114TM3T5G

részvénytársaság: 126995

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC114YF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114YF3T5G

részvénytársaság: 144543

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5115T1G
ON Semiconductor

SMUN5115T1G

részvénytársaság: 172520

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJN4306RTA
ON Semiconductor

FJN4306RTA

részvénytársaság: 2013

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
NSVDTC123EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTC123EM3T5G

részvénytársaság: 126152

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZF3T5G

részvénytársaság: 157289

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJX4001RTF
ON Semiconductor

FJX4001RTF

részvénytársaság: 1966

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
NSB9435T1G
ON Semiconductor

NSB9435T1G

részvénytársaság: 172172

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 3A, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

Kívánság lista
FJV3101RMTF
ON Semiconductor

FJV3101RMTF

részvénytársaság: 163797

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
NSBC143ZF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZF3T5G

részvénytársaság: 124170

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN2233T1
ON Semiconductor

MUN2233T1

részvénytársaság: 1867

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJNS4208RBU
ON Semiconductor

FJNS4208RBU

részvénytársaság: 2020

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
SMUN2230T1G
ON Semiconductor

SMUN2230T1G

részvénytársaság: 178747

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJV3115RMTF
ON Semiconductor

FJV3115RMTF

részvénytársaság: 170458

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143EF3T5G

részvénytársaság: 150999

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114TF3T5G

részvénytársaság: 143954

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN2134T1
ON Semiconductor

MUN2134T1

részvénytársaság: 1899

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5211T1G
ON Semiconductor

MUN5211T1G

részvénytársaság: 163259

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMMUN2131LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2131LT1G

részvénytársaság: 130439

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN2111T1G
ON Semiconductor

SMUN2111T1G

részvénytársaság: 180947

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJN4305RTA
ON Semiconductor

FJN4305RTA

részvénytársaság: 145093

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
MUN5112T1G
ON Semiconductor

MUN5112T1G

részvénytársaság: 141842

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJY4009R
ON Semiconductor

FJY4009R

részvénytársaság: 2005

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 40V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
NSVMMUN2237LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2237LT1G

részvénytársaság: 170845

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5215T1
ON Semiconductor

MUN5215T1

részvénytársaság: 1921

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVDTA144EET1G
ON Semiconductor

NSVDTA144EET1G

részvénytársaság: 160376

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista