Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e
MUN5116T1
ON Semiconductor

MUN5116T1

részvénytársaság: 1949

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5114T1G
ON Semiconductor

SMUN5114T1G

részvénytársaság: 110208

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
DTC144TM3T5G
ON Semiconductor

DTC144TM3T5G

részvénytársaság: 116547

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5232T1G
ON Semiconductor

MUN5232T1G

részvénytársaság: 100365

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC123TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC123TF3T5G

részvénytársaság: 119007

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMMUN2230LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2230LT1G

részvénytársaság: 173789

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVDTC144EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTC144EM3T5G

részvénytársaság: 148343

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN2237T1G
ON Semiconductor

NSVMUN2237T1G

részvénytársaság: 163306

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5235T1G
ON Semiconductor

MUN5235T1G

részvénytársaság: 109205

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5113T1
ON Semiconductor

MUN5113T1

részvénytársaság: 1862

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMMUN2236LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2236LT1G

részvénytársaság: 174418

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC123JF3T5G
ON Semiconductor

NSBC123JF3T5G

részvénytársaság: 110663

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMMUN2212LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2212LT1G

részvénytársaság: 159682

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC124EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC124EF3T5G

részvénytársaság: 140349

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SDTA114YET1G
ON Semiconductor

SDTA114YET1G

részvénytársaság: 128470

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MMUN2238LT1G
ON Semiconductor

MMUN2238LT1G

részvénytársaság: 106308

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMMUN2112LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2112LT1G

részvénytársaság: 163650

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN2211T3
ON Semiconductor

MUN2211T3

részvénytársaság: 1947

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJV4101RMTF
ON Semiconductor

FJV4101RMTF

részvénytársaság: 1954

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista
MUN2211JT1G
ON Semiconductor

MUN2211JT1G

részvénytársaság: 110536

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJV4104RMTF
ON Semiconductor

FJV4104RMTF

részvénytársaság: 107935

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
SMUN5133T1G
ON Semiconductor

SMUN5133T1G

részvénytársaság: 115979

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJX4014RTF
ON Semiconductor

FJX4014RTF

részvénytársaság: 2042

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
FJN4311RBU
ON Semiconductor

FJN4311RBU

részvénytársaság: 2006

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 40V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista
NSVDTC113EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTC113EM3T5G

részvénytársaság: 156613

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJV3114RMTF
ON Semiconductor

FJV3114RMTF

részvénytársaság: 132476

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
MUN5115T1
ON Semiconductor

MUN5115T1

részvénytársaság: 1922

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5236T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5236T1G

részvénytársaság: 112569

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJNS3214RBU
ON Semiconductor

FJNS3214RBU

részvénytársaság: 2012

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
SMUN2240T1G
ON Semiconductor

SMUN2240T1G

részvénytársaság: 133906

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVDTA123JM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTA123JM3T5G

részvénytársaság: 21616

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC144EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC144EF3T5G

részvénytársaság: 105347

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJY3004R
ON Semiconductor

FJY3004R

részvénytársaság: 24379

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Kívánság lista
SMUN2216T1G
ON Semiconductor

SMUN2216T1G

részvénytársaság: 115007

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVDTA114EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTA114EM3T5G

részvénytársaság: 135102

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
FJY3001R
ON Semiconductor

FJY3001R

részvénytársaság: 2183

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 22 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista