Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single | Diszkrét félvezető termékek | 18

RDD050N20TL

részvénytársaság: 101606

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 200V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

R4008ANDTL

részvénytársaság: 82217

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 400V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 4A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RRS075P03TB1

részvénytársaság: 131057

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta),

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RS1E320GNTB

részvénytársaság: 134760

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 32A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RQ6E045BNTCR

részvénytársaság: 192501

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

R6002ENDTL

részvénytársaság: 107430

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RE1L002SNTL

részvénytársaság: 151576

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

QS5U23TR

részvénytársaság: 110785

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

ES6U1T2R

részvénytársaság: 167749

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

ES6U42T2R

részvénytársaság: 113586

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTF015P02TL

részvénytársaság: 129656

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RE1C002UNTCL

részvénytársaság: 142358

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 2.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RRR040P03TL

részvénytársaság: 149850

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

QS5U26TR

részvénytársaság: 152296

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RE1C002ZPTL

részvénytársaság: 115975

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

QS5U36TR

részvénytársaság: 182203

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RRR030P03TL

részvénytársaság: 171132

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RXR035N03TCL

részvénytársaság: 139002

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSQ035N03TR

részvénytársaság: 129237

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 3.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSR025P03TL

részvénytársaság: 184188

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTF010P02TL

részvénytársaság: 102267

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RQ1A070ZPTR

részvénytársaság: 155970

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 12V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSH100N03TB1

részvénytársaság: 161208

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RQ1E050RPTR

részvénytársaság: 151518

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

ES6U2T2R

részvénytársaság: 188292

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RUR040N02TL

részvénytársaság: 197801

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTR011P02TL

részvénytársaság: 157653

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta),

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSD050N10TL

részvénytársaság: 169848

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSH070N05GZETB

részvénytársaság: 166247

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 45V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RW1E015RPT2R

részvénytársaság: 117266

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RV1C002UNT2CL

részvénytársaság: 133406

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RSR020P05TL

részvénytársaság: 174923

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 45V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RHU003N03T106

részvénytársaság: 151165

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 300mA, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTU002P02T106

részvénytársaság: 175143

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

ES6U3T2CR

részvénytársaság: 174969

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V,

Kívánság lista

Rohm Semiconductor

RTQ025P02TR

részvénytársaság: 171296

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 20V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Kívánság lista