Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Diódák - egyenirányít&

  • itthon
  •  
  • Diódák - egyenirányít&
SK39B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39B R5G

részvénytársaság: 85

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 90V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 850mV @ 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RS3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3D V7G

részvénytársaság: 103

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 150ns,

Kívánság lista
US1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHR3G

részvénytársaság: 91

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
SK39AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39AHM2G

részvénytársaság: 95

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 90V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 850mV @ 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SS25HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25HM4G

részvénytársaság: 113

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 700mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
US1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHM2G

részvénytársaság: 101

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
SK36B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK36B M4G

részvénytársaság: 98

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 60V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 750mV @ 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
ES3DV V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DV V7G

részvénytársaság: 68

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 20ns,

Kívánság lista
SK25A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK25A R3G

részvénytársaság: 95

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 700mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RS2BAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2BAHM2G

részvénytársaság: 108

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1.5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 1.5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 150ns,

Kívánság lista
S12KC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12KC V7G

részvénytársaság: 102

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 800V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 12A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 12A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
S2JHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2JHM4G

részvénytársaság: 46

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.15V @ 2A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.5µs,

Kívánság lista
S3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3A V7G

részvénytársaság: 120

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.5µs,

Kívánság lista
S3JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3JB M4G

részvénytársaság: 88

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.15V @ 3A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.5µs,

Kívánság lista
SK55B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK55B M4G

részvénytársaság: 129

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 750mV @ 5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
HS3G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3G V6G

részvénytársaság: 79

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
S2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2D M4G

részvénytársaság: 137

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.15V @ 2A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.5µs,

Kívánság lista
SS110 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS110 M2G

részvénytársaság: 102

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 800mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
MUR340S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340S V6G

részvénytársaság: 46

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
ES2GHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GHM4G

részvénytársaság: 78

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
HS5K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5K V6G

részvénytársaság: 53

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 800V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 75ns,

Kívánság lista
SS29HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29HM4G

részvénytársaság: 129

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 90V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 850mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
HS1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1K M2G

részvénytársaság: 114

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 800V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.7V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 75ns,

Kívánság lista
SSL23HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23HM4G

részvénytársaság: 94

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 30V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 410mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
US1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1D M2G

részvénytársaság: 74

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
HS1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1A R3G

részvénytársaság: 61

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
SK82C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK82C V6G

részvénytársaság: 102

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 20V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 8A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
HS5G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5G V6G

részvénytársaság: 64

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
RS2AAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2AAHM2G

részvénytársaság: 87

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1.5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 1.5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 150ns,

Kívánság lista
ES2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2J M4G

részvénytársaság: 65

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.7V @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
RS2GAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2GAHM2G

részvénytársaság: 95

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1.5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 1.5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 150ns,

Kívánság lista
S1JBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JBHM4G

részvénytársaság: 85

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
HS2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2GA M2G

részvénytársaság: 82

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1.5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 1.5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
SS32 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS32 V7G

részvénytársaság: 88

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 20V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
US1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1DHM2G

részvénytársaság: 80

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
ESH3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3B V6G

részvénytársaság: 125

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 20ns,

Kívánság lista