Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Diódák - egyenirányít&

  • itthon
  •  
  • Diódák - egyenirányít&
ES2FHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHM4G

részvénytársaság: 93

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 300V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
HS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2G M4G

részvénytársaság: 106

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320AHM2G

részvénytársaság: 75

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 950mV @ 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
S3MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3MB M4G

részvénytársaság: 69

Dióda típusa: Standard, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.15V @ 3A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.5µs,

Kívánság lista
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V7G

részvénytársaság: 111

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 30V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 8A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3G V7G

részvénytársaság: 130

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 150ns,

Kívánság lista
SK13B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B M4G

részvénytársaság: 70

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 30V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 500mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2K M4G

részvénytársaság: 97

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 800V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 500ns,

Kívánság lista
S12GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V6G

részvénytársaság: 65

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 12A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RS3M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3M V6G

részvénytársaság: 56

Dióda típusa: Standard, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 500ns,

Kívánság lista
ESH3C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V6G

részvénytársaság: 130

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 150V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 20ns,

Kívánság lista
S12JC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V6G

részvénytársaság: 107

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 12A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
S1AB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AB R5G

részvénytársaság: 75

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SS34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34 V6G

részvénytársaság: 126

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 40V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
S2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2A M4G

részvénytársaság: 77

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.15V @ 2A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.5µs,

Kívánság lista
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V7G

részvénytársaság: 140

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 40V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 8A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
S12JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V7G

részvénytársaság: 89

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 600V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 12A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 12A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SK83C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V6G

részvénytársaság: 142

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 30V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 8A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SS320 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS320 V6G

részvénytársaság: 90

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 200V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
ES3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V7G

részvénytársaság: 123

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 35ns,

Kívánság lista
SS29 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29 M4G

részvénytársaság: 57

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 90V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 850mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SS23HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23HM4G

részvénytársaság: 115

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 30V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 500mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KA M2G

részvénytársaság: 105

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 800V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1.5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 1.5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 500ns,

Kívánság lista
SK59BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHM4G

részvénytársaság: 61

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 90V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 850mV @ 5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MA M2G

részvénytársaság: 130

Dióda típusa: Standard, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1.5A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.3V @ 1.5A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 500ns,

Kívánság lista
SS22HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22HR5G

részvénytársaság: 112

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 20V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 500mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
ESH2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2B R5G

részvénytársaság: 76

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 900mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 20ns,

Kívánság lista
S1MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MBHM4G

részvénytársaság: 119

Dióda típusa: Standard, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1.1V @ 1A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35AHR3G

részvénytársaság: 53

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 50V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 720mV @ 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
ESH1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B R3G

részvénytársaság: 144

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 900mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 15ns,

Kívánság lista
US1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1GHR3G

részvénytársaság: 102

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 400V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 1V @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 50ns,

Kívánság lista
ESH2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA R3G

részvénytársaság: 67

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 100V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 900mV @ 1A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 25ns,

Kívánság lista
SS33 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS33 V6G

részvénytársaság: 58

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 30V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
S4K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4K V6G

részvénytársaság: 87

Dióda típusa: Standard, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 800V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 4A, Sebesség: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Fordított helyreállítási idő (trr): 1.5µs,

Kívánság lista
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK23A M2G

részvénytársaság: 111

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 30V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 2A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 500mV @ 2A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista
SK19BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHM4G

részvénytársaság: 128

Dióda típusa: Schottky, Feszültség - DC hátramenet (Vr) (Max): 90V, Jelenlegi - átlagos javított (Io): 1A, Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: 850mV @ 3A, Sebesség: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Kívánság lista