Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - RF

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - RF
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

részvénytársaság: 144

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Nyereség: 13dB, Teljesítmény - Max: 150mW,

Kívánság lista
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 170

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Nyereség: 11dB, Teljesítmény - Max: 150mW,

Kívánság lista
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 171976

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Frekvencia - átmenet: 550MHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Nyereség: 17dB ~ 23dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

részvénytársaság: 111075

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 128600

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Nyereség: 11dB ~ 16.5dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

részvénytársaság: 121034

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 190

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 170

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 187

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 10V, Frekvencia - átmenet: 10GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Nyereség: 13dB ~ 7dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

részvénytársaság: 173074

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

részvénytársaság: 128

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 10V, Frekvencia - átmenet: 10GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Nyereség: 13dB ~ 7.5dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

részvénytársaság: 124837

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Frekvencia - átmenet: 550MHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Nyereség: 17dB ~ 23dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

részvénytársaság: 152602

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Nyereség: 11dB, Teljesítmény - Max: 150mW,

Kívánság lista
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 162523

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Teljesítmény - Max: 150mW,

Kívánság lista
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

részvénytársaság: 133840

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 132303

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Frekvencia - átmenet: 550MHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Nyereség: 23dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

részvénytársaság: 156257

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 8GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Teljesítmény - Max: 150mW,

Kívánság lista
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 190913

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Nyereség: 12dB ~ 17dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 167393

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Frekvencia - átmenet: 550MHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Nyereség: 23dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 7295

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Nyereség: 18dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

részvénytársaság: 4783

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 10V, Frekvencia - átmenet: 6GHz, Nyereség: 11dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

részvénytársaság: 7101

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Frekvencia - átmenet: 550MHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Nyereség: 17dB ~ 23dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

részvénytársaság: 7064

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 10V, Frekvencia - átmenet: 10GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Nyereség: 1.4dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 160292

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Frekvencia - átmenet: 550MHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Nyereség: 23dB, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

részvénytársaság: 91

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 6V, Frekvencia - átmenet: 11.5GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Nyereség: 12dB, Teljesítmény - Max: 700mW,

Kívánság lista
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

részvénytársaság: 18982

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 6V, Frekvencia - átmenet: 8GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Nyereség: 10.5dB, Teljesítmény - Max: 1W,

Kívánság lista
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

részvénytársaság: 4314

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 5.3V, Frekvencia - átmenet: 7.7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Nyereség: 10.5dB, Teljesítmény - Max: 1.6W,

Kívánság lista
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

részvénytársaság: 9921

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 5.3V, Frekvencia - átmenet: 12.5GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Nyereség: 11.8dB, Teljesítmény - Max: 800mW,

Kívánság lista
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

részvénytársaság: 4313

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Nyereség: 16.5dB, Teljesítmény - Max: 1.8W,

Kívánság lista
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

részvénytársaság: 135

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Nyereség: 12dB, Teljesítmény - Max: 900mW,

Kívánság lista
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

részvénytársaság: 9992

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 5.3V, Frekvencia - átmenet: 11.2GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Nyereség: 12.5dB, Teljesítmény - Max: 900mW,

Kívánság lista
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

részvénytársaság: 176440

Tranzisztor típusa: NPN, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 5V, Frekvencia - átmenet: 4GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Nyereség: 4.5dBi, Teljesítmény - Max: 100mW,

Kívánság lista
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

részvénytársaság: 7065

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 12V, Frekvencia - átmenet: 7GHz, Zaj ábra (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Nyereség: 11.5dB, Teljesítmény - Max: 200mW,

Kívánság lista