Tranzisztorok - JFET-ek | Diszkrét félvezető termékek | 1

2SK879-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 198791

FET típus: N-Channel, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 400mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

részvénytársaság: 405

FET típus: 2 N-Channel (Dual), Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 200mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

részvénytársaság: 389

FET típus: N-Channel, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 400mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

részvénytársaság: 342

FET típus: N-Channel, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 400mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

részvénytársaság: 340

FET típus: N-Channel, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 400mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 123563

FET típus: 2 N-Channel (Dual), Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 200mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

részvénytársaság: 403

FET típus: N-Channel, Feszültség - bontás (V (BR) GSS): 50V, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

részvénytársaság: 100454

FET típus: N-Channel, Feszültség - bontás (V (BR) GSS): 50V, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 407

FET típus: N-Channel, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 400mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

részvénytársaság: 9964

FET típus: N-Channel, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 200mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

részvénytársaság: 177718

FET típus: 2 N-Channel (Dual), Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 200mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

részvénytársaság: 9975

FET típus: N-Channel, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 400mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 3488

FET típus: N-Channel, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 200mV @ 100nA,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 110749

FET típus: N-Channel, Feszültség - bontás (V (BR) GSS): 50V, Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Feszültség - Vágás (VGS ki) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Kívánság lista