Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124EDXV6T1G

részvénytársaság: 106381

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T1G

részvénytársaság: 184838

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

részvénytársaság: 197856

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5334DW1T1G

részvénytársaság: 194293

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5113DW1T1G

részvénytársaság: 148914

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1G

részvénytársaság: 131393

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor

NSVEMC2DXV5T1G

részvénytársaság: 130286

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV6T1G

részvénytársaság: 182892

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114TDP6T5G

részvénytársaság: 112312

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5235DW1T1G

részvénytársaság: 108992

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBA114YDXV6T1G

részvénytársaság: 169568

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5332DW1T1G

részvénytársaság: 104439

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5211DW1T3G

részvénytársaság: 123032

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T5G

részvénytársaság: 155754

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5213DW1T1G

részvénytársaság: 151695

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144WPDP6T5G

részvénytársaság: 156563

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EDP6T5G

részvénytársaság: 168274

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5113DW1T3G

részvénytársaság: 116755

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V,

Kívánság lista
MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5312DW1T2G

részvénytársaság: 134631

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDP6T5G

részvénytársaság: 103833

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5214DW1T1G

részvénytársaság: 184027

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC144EPDXV6T1G

részvénytársaság: 125769

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T5G

részvénytársaság: 126783

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5216DW1T1G

részvénytársaság: 155827

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

SSVMUN5312DW1T2G

részvénytársaság: 122645

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5137DW1T1G

részvénytársaság: 139504

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5133DW1T1G

részvénytársaság: 198374

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143TPDXV6T1G

részvénytársaság: 138721

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5112DW1T1G

részvénytársaság: 126017

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5313DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5313DW1T3G

részvénytársaság: 191285

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5213DW1T3G

részvénytársaság: 119417

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114YDXV6T1G

részvénytársaság: 174121

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114YDXV6T1G

részvénytársaság: 192965

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBA114EDXV6T1G

részvénytársaság: 195403

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T5G

részvénytársaság: 170353

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC144EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EPDP6T5G

részvénytársaság: 141890

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista