Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1

részvénytársaság: 1456

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5

részvénytársaság: 1405

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5

részvénytársaság: 3242

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EDXV6T1G

részvénytársaság: 129082

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5316DW1T1G

részvénytársaság: 160200

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1G

részvénytársaság: 136591

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5133DW1T1G

részvénytársaság: 183679

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1

részvénytársaság: 1532

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM21156DW6T1G

részvénytársaság: 1463

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 65V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Kívánság lista
MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5130DW1T1G

részvénytársaság: 181618

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1G

részvénytársaság: 155743

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1004DXV5T1G

részvénytársaság: 3211

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

Kívánság lista
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDP6T5G

részvénytársaság: 167686

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5230DW1T1
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1

részvénytársaság: 1467

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5136DW1T1
ON Semiconductor

MUN5136DW1T1

részvénytársaság: 1413

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
UMA4NT1G
ON Semiconductor

UMA4NT1G

részvénytársaság: 1478

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1G

részvénytársaság: 64095

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5214DW1T1G

részvénytársaság: 115714

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV65G

részvénytársaság: 1485

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5230DW1T1G

részvénytársaság: 174998

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5131DW1T1G

részvénytársaság: 110079

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA144EDP6T5G

részvénytársaság: 162633

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1G

részvénytársaság: 3198

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1G

részvénytársaság: 150495

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1

részvénytársaság: 1458

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5212DW1T1
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1

részvénytársaság: 1497

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T1G

részvénytársaság: 188714

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1G

részvénytársaság: 130128

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB123JPDXV6T1G

részvénytársaság: 107622

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA115TDP6T5G

részvénytársaság: 146030

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5232DW1T1
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1

részvénytársaság: 1444

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1

részvénytársaság: 1461

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T5G

részvénytársaság: 162821

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114YDP6T5G

részvénytársaság: 197883

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor

NSVUMC2NT1G

részvénytársaság: 193262

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5235DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T3G

részvénytársaság: 170254

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista