Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - előre elf
MUN5134DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5134DW1T1G

részvénytársaság: 90827

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5231DW1T1G

részvénytársaság: 137429

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor

EMF5XV6T5G

részvénytársaság: 186407

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 12V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

Kívánság lista
NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1G

részvénytársaság: 192037

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1

részvénytársaság: 1432

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC115TDP6T5G

részvénytársaság: 145523

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5135DW1T1G

részvénytársaság: 164885

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NUS2401SNT1
ON Semiconductor

NUS2401SNT1

részvénytársaság: 1477

Tranzisztor típusa: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 200mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms,

Kívánság lista
MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T1G

részvénytársaság: 182836

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDP6T5G

részvénytársaság: 114384

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB144EPDXV6T1G

részvénytársaság: 165773

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T5G

részvénytársaság: 1529

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1

részvénytársaság: 1497

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor

NUS2401SNT1G

részvénytársaság: 172039

Tranzisztor típusa: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 200mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 175 Ohms, 10 kOhms,

Kívánság lista
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM11156DW6T1G

részvénytársaság: 3218

Tranzisztor típusa: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, 65V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

Kívánság lista
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1

részvénytársaság: 1482

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1

részvénytársaság: 3141

Tranzisztor típusa: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1G

részvénytársaság: 163042

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143EPDP6T5G

részvénytársaság: 123578

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1

részvénytársaság: 1438

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDP6T5G

részvénytársaság: 164714

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5335DW1T1G

részvénytársaság: 190768

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC124EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T5G

részvénytársaság: 134086

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5211DW1T1
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1

részvénytársaság: 1438

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1G

részvénytársaság: 1489

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
MUN5137DW1T1
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1

részvénytársaság: 1469

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1G

részvénytársaság: 106805

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5336DW1T1G

részvénytársaság: 9982

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1

részvénytársaság: 1469

Tranzisztor típusa: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
SMUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T1G

részvénytársaság: 189012

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
UMC2NT1
ON Semiconductor

UMC2NT1

részvénytársaság: 1476

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1

részvénytársaság: 1420

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC4DXV5T1G

részvénytársaság: 149530

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T1G

részvénytársaság: 138481

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T5

részvénytársaság: 1490

Tranzisztor típusa: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista
NSBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1G

részvénytársaság: 190887

Tranzisztor típusa: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kívánság lista