Tranzisztorok - FET, MOSFET - Single | Diszkrét félvezető termékek | 21

2SK4016(Q)

részvénytársaság: 6095

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3868(Q,M)

részvénytársaság: 709

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3906(Q)

részvénytársaság: 711

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3844(Q)

részvénytársaság: 756

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 23A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3662(F)

részvénytársaság: 712

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 18A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

részvénytársaság: 761

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3466(TE24L,Q)

részvénytársaság: 730

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3388(TE24L,Q)

részvénytársaság: 727

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3403(Q)

részvénytársaság: 759

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 450V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3313(Q)

részvénytársaság: 769

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3342(TE16L1,NQ)

részvénytársaság: 768

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2883(TE24L,Q)

részvénytársaság: 752

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 800V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2866(F)

részvénytársaság: 745

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2744(F)

részvénytársaság: 6130

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2845(TE16L1,Q)

részvénytársaság: 779

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2507(F)

részvénytársaság: 761

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 50V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 12A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2544(F)

részvénytársaság: 749

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 600V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK1119(F)

részvénytársaság: 779

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 1000V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ681(Q)

részvénytársaság: 746

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ380(F)

részvénytársaság: 783

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ610(TE16L1,NQ)

részvénytársaság: 711

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55 Ohm @ 1A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ360(F)

részvénytársaság: 714

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ304(F)

részvénytársaság: 800

FET típus: P-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3128(Q)

részvénytársaság: 702

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 30V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3309(Q)

részvénytársaság: 633

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 450V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2376(Q)

részvénytársaság: 685

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2266(TE24R,Q)

részvénytársaság: 654

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3132(Q)

részvénytársaság: 463

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 25A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3068(TE24L,Q)

részvénytársaság: 430

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2993(TE24L,Q)

részvénytársaság: 483

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 250V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2917(F)

részvénytársaság: 500

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2916(F)

részvénytársaság: 458

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 500V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2847(F)

részvénytársaság: 6126

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2719(F)

részvénytársaság: 460

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 900V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2231(TE16R1,NQ)

részvénytársaság: 140

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 60V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.5A, 10V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2963(TE12L,F)

részvénytársaság: 23

FET típus: N-Channel, Technológia: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source feszültség (Vdss): 100V, Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V,

Kívánság lista