Menu
MagyarországMagyarország
RFQS / Rendelés
0RFQS / Rendelés

Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömb

  • itthon
  •  
  • Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömb
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 152609

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 98

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 124

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 114931

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

részvénytársaság: 137653

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

részvénytársaság: 153875

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

részvénytársaság: 9987

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

részvénytársaság: 115889

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

részvénytársaság: 4365

Tranzisztor típusa: NPN, PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

részvénytársaság: 167758

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

részvénytársaság: 115887

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 300mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Kívánság lista
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

részvénytársaság: 179411

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

részvénytársaság: 4432

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

részvénytársaság: 124168

Tranzisztor típusa: 7 NPN Darlington, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 50µA, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Kívánság lista
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

részvénytársaság: 104094

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

részvénytársaság: 147055

Tranzisztor típusa: NPN, PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100µA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

részvénytársaság: 104803

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

részvénytársaság: 104

Tranzisztor típusa: NPN, PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 1A, 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Kívánság lista
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

részvénytársaság: 184759

Tranzisztor típusa: NPN, PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

részvénytársaság: 4437

Tranzisztor típusa: NPN, PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

részvénytársaság: 4500

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

részvénytársaság: 4488

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

részvénytársaság: 184335

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

részvénytársaság: 4476

Tranzisztor típusa: 2 PNP (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

részvénytársaság: 4401

Tranzisztor típusa: 7 NPN Darlington, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 50µA, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Kívánság lista
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

részvénytársaság: 6508

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

részvénytársaság: 151500

Tranzisztor típusa: NPN, PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

részvénytársaság: 4471

Tranzisztor típusa: 8 NPN Darlington, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Kívánság lista
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

részvénytársaság: 9945

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 300mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 20V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Kívánság lista
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

részvénytársaság: 111105

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

részvénytársaság: 4492

Tranzisztor típusa: NPN, PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 30V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

részvénytársaság: 4430

Tranzisztor típusa: 7 NPN Darlington, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 50µA, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Kívánság lista
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

részvénytársaság: 76

Tranzisztor típusa: NPN, PNP (Emitter Coupled), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

Kívánság lista
ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

részvénytársaság: 4464

Tranzisztor típusa: 8 NPN Darlington, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 500mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Kívánság lista
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

részvénytársaság: 4503

Tranzisztor típusa: 2 NPN (Dual), Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 120V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

részvénytársaság: 9904

Tranzisztor típusa: NPN, PNP, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 150mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Áram - gyűjtő levágása (max.): 100nA (ICBO), DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Kívánság lista