Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e

itthon
Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - egyszem&e

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2422TE85LF

részvénytársaság: 150924

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 2.2 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105MFV,L3F

részvénytársaság: 132067

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1416,LF

részvénytársaság: 133985

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117MFV,L3F

részvénytársaság: 185

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2301,LF

részvénytársaság: 142431

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

RN1312(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1312(TE85L,F)

részvénytársaság: 100942

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

RN1314(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1314(TE85L,F)

részvénytársaság: 151760

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110,LF(CT

részvénytársaság: 121856

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1403,LF

részvénytársaság: 109

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1421TE85LF

részvénytársaság: 136591

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 1 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

RN2108(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108(T5L,F,T)

részvénytársaság: 2133

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

RN1131MFV(TL3,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1131MFV(TL3,T)

részvénytársaság: 3290

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 100 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2405,LF

részvénytársaság: 121

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

RN1418(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1418(TE85L,F)

részvénytársaság: 2164

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

RN1415(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1415(TE85L,F)

részvénytársaság: 109269

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1424TE85LF

részvénytársaság: 195582

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1423TE85LF

részvénytársaság: 181577

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

RN1317(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1317(TE85L,F)

részvénytársaság: 179199

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

RN1417(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1417(TE85L,F)

részvénytársaság: 102201

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114MFV,L3F

részvénytársaság: 180

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1425TE85LF

részvénytársaság: 187011

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 800mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 470 Ohms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101,LF(CT

részvénytársaság: 133670

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102T5LFT

részvénytársaság: 2168

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2401,LF

részvénytársaság: 151

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

RN2118MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118MFV(TPL3)

részvénytársaság: 2128

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2115MFV,L3F

részvénytársaság: 173

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 2.2 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1311,LF

részvénytársaság: 137

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

RN1103MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV(TPL3)

részvénytársaság: 103895

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310,LF

részvénytársaság: 188190

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

RN2314(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2314(TE85L,F)

részvénytársaság: 144122

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114MFV,L3F

részvénytársaság: 157

Tranzisztor típusa: PNP - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 1 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

RN1318(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1318(TE85L,F)

részvénytársaság: 168872

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 10 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

részvénytársaság: 161993

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 4.7 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

RN1313(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1313(TE85L,F)

részvénytársaság: 191183

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 47 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103,LF(CT

részvénytársaság: 141203

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV,L3F

részvénytársaság: 140595

Tranzisztor típusa: NPN - Pre-Biased, Áram - gyűjtő (Ic) (max): 100mA, Feszültség - kollektor emitter meghibásodás (max.): 50V, Ellenállás - alap (R1): 22 kOhms, Ellenállás - Emitter alap (R2): 22 kOhms, DC áramerősítés (hFE) (perc) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kívánság lista

199

«
1
2
3
4
5
6
»